AMS Cmos 350 nm RF LIB

اختصاصی از فی موو AMS Cmos 350 nm RF LIB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تکنولوژی فایل AMS CMOS 350nm مخصوص طراحی فرکانس بالا برای نرم افزار ADS.

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از فی موو نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

15 صفحه در قالب word

همانطور که می دانید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.
سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.
براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

دانلود مقالهISI یکپارچه CMOS سنسور پیکسل فعال برای فیزیک انرژی بالا

اختصاصی از فی موو دانلود مقالهISI یکپارچه CMOS سنسور پیکسل فعال برای فیزیک انرژی بالا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی : یکپارچه CMOS سنسور پیکسل فعال برای فیزیک انرژی بالا

موضوع انگلیسی : CMOS monolithic active pixel sensors for high energy physics

تعداد صفحه : 5

فرمت فایل :pdf

سال انتشار : 2014

زبان مقاله : انگلیسی

چکیده

آشکارسازهای پیکسل یکپارچه یکپارچه سازی ماتریس سنسور و بازخوانی در یک قطعه از سیلیکون هستند در حال حاضر تنها
شروع به راه خود را به فیزیک انرژی بالا. دو نیاز عمده ای تحمل تابش و
مصرف کم انرژی. برای سطوح تابش شدید ترین، یورش سیگنال به انحراف جمع آوری می شود
از لایه تخلیه بر روی یک الکترود تعیین شده مجموعه بدون از دست دادن شارژ سیگنال در جاهای دیگر
در مدار در پیکسل. مصرف کم انرژی نیاز به بهینه سازی Q / C، نسبت به جمع آوری
شارژ سیگنال بیش از ظرفیت ورودی [1]. برخی از راه حل به ترکیب صوف کافی فی Q / C و جمع آوری شده توسط
رانش نیاز به مرحله ساخت عجیب و غریب. راه حل های بیشتر مرسوم تا به حال نیاز به یک ساده در پیکسل
مدار بازخوانی. هر دو ولتاژ بالا فن آوری CMOS و سنسور یکپارچه پیکسل فعال (MAPS)
فن آوری با لایه های همبافته مقاومت بالا ارائه دیود ولتاژ بالا. انتخاب بین این دو
است اساسی نیست اما بیشتر یک سوال از چه مقدار کاهش می توان رسید و همچنین در دسترس بودن
و هزینه. در این مقاله تلاش می کند تا به یک مرور کلی.

کلمات کلیدی: سنسور یکپارچه
آشکارسازهای سیلیکونی
آشکارسازهای ردیابی
آشکارسازهای ورتکس