دانلود تحقیق قانون گذاری در حسابداری

اختصاصی از فی موو دانلود تحقیق قانون گذاری در حسابداری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

برسی فرایند  تدوین استانداردهای حسابداری مالی(FASB) و استانداردهای حسابداری ایران پیدایش اصول و رویه‏های حسابداری از سابقه‏ای چند صد ساله بر خوردار است.اما فرایند رسمی تدوین استانداردهای‏ حسابداری به گونه‏ای که امروز شاهد آن‏ هستیم،در طی هفتاد سال گذشته‏ به وجود آمده است.وقوع انقلاب صنعتی‏ در طی دو قرن هجده و نوزده میلادی، موجب دگرگونی چهره اقتصادی ممالک‏ اروپایی و آمریکایی شد.در همان مقطع از زمان،حسابداری نیز رشد شتابانی یافت و روشها و رویه‏های جدید بسرعت مطرح و معرفی شد.هدف اصلی از طرح این روشها و رویه‏های جدید همانا بر آوردن نیازهای‏ اطلاعاتی در واحدهای اقتصادی بود؛اما نتیجه این امر،بوجود آمدن تنوع و ناهمگونی در روشهای حسابداری و پیامد منطقی آن،از دست رفتن ویژگی‏ مقایسه پذیری اطلاعات حسابداری بود.

در سال‏ 1929 میلادی،سقوط بزرگ‏ بازار اوراق بهادار به وقوع پیوست و در این‏ ارتباط،حسابداران به شدت در مظان اتهام‏ قرار داشتند.در واقع،بسیاری بر این باور بودند که سقوط بزرگ 1929،در ارائه‏ اطلاعات گمراه کننده از سوی حسابداران، ریشه داشته است.

 باتوجه به آثار اقتصادی سقوط ویرانگر سال‏ 1929 میلادی در کشور ایالات متحد آمریکا  به منظور قانونمند کردن افشای اطلاعات کمسیون بورس و اوراق بهادار بوجود آمد.

 شامل 22 صفحه فایل WORD قابل ویرایش

تحقیق درباره جریانهای برخورد کننده چیست

اختصاصی از فی موو تحقیق درباره جریانهای برخورد کننده چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:37

فهرست و توضیحات:

مقدمه

بیان مسأله

اهمیت موضوع

اهداف کاربردی

• جریانهای برخورد کننده

بسیاری از عملیات مهندسی که در بین دو فاز استخراج ناپذیر انجام می شود بوسیلة انتقال جرم یا انتقال حرارت کنترل می شوند، بنابراین همواره کوشش می شود که تا حد امکان چنین مقاومتهایی را کاهش داد.

اولاً فرایندهای انتقال حرارت یا جرم گدر سیستم، گاز-جامد، گاز-مایه، مایع-مایع و جامد-مایع عموماً ممکن است با سه مقاومت سری دئر نظر گرفته شوئند، با فرض یک سیستم قطرة مایع-گاز به عنوان حالت مبنا مشاهده شود. ممکن است برحسب خواص سیستم مقاومت های زیر مؤثر باشند، مقاومت خارجی[1] مقاومت سطح[2]، مقاومت داخلی[3].

مقاومت داخلی را ممکن است با کاهش اندازة ذرة فار پیوسته کاهش داد، اگر این کارها امکان پذیر نباشد باید زمان اقامت ذره را در داخل سیستم افزایش داد. کاهش مقاومت خارجی ممکن است از طریق روشهای زیر میسر گردد.

a- افزایش سرعت حنسبی بین ذرات و فاز پیوسته که با افزایش اصطکاک بین فازها نیز مرتبط است

b- کاهش ابعاد و ذرات که باعث کاهش ضخامت زیر لایة آرام که کنار سطح تشکیل می شود، می گردد. کاهش ایجاد ذراتن باعث افزایش ضرایب انتقال می گردند.

c- توزیع یکنواخت فاز پراکنده درون فاز پیوسته.

d- اعمال تأثیرات دیرگر روی ذرات، مثل نیروهای اینرسی و سانتریفوژی

مقاومت سطح با حذف ناخالصی ها ممکن است به دست‌ آید.

در دهة 60 میلادی روش بسیار ویژه ای بعنوان جریانهای برخورد کننده[4] (IS) توسط [1]Elperin مطرح شد که روش بسیار مؤثری برای فرایندهای انتقال جرم و حرارت محسوب می گردد. انتظار می رود که این سیستم ها بصورت گسترده ای مورد استفاده قرار بگیرند.

این سیستم می تواند برای سیستم های دو زمانه مایع-گاز-جامد بکار برود. در این روش دو جریان در خلاف جهت هم روی یک محور به یکدیگر برخورد می کنند. برای یک جریان نمونة گاز-جامد همانطور که در شکل 1-1 دیده یم شود دو جریان در وسط (ناحیة برخو.رد) به شدت به هم برخورد می کنند، بدلیل برخورد بین جریانهای مخالف، یک ناحیة نسبتاً باریکی یا تلاطم شدید ایجاد می شود، که شرایط بسیار مطلوبی را برای افزایش سرعت انتقال جرم و حرارت بوجود می آورد. علاوه بر این در این ناحیه غلظت (تراکم) ذرات بیشترین مقدار است [2]، و بصورت یکنواخت تا نقطة تزریق کاهش می یابد، این تکنیک در سیستم های گاز-مایع مایع-مایع و جامد-مایع نیز بکار یم رود. با توجه به شکل 1-1

[1] - External Resistance

[2] - Surface Resisteance

[3] - Internal Resistance

[4] - Impining Streams

تحقیق درباره حکاکی

اختصاصی از فی موو تحقیق درباره حکاکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:47

فهرست و توضیحات:

حکاکی لایه نازک SiO2

حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی قربانی ( sacrificial )

 ساختار پایه ( Basic structures )

 در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن     می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

KOH همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی می شوند که وقتی که گوشه های 90 درجه تشکیل شدند، کاملاً حکاکی می شوند. یکی از مشکلات استفاده از ساختارهای     جبران ساز برای تشکیل گوشه های راست زاویه این است که آنها محدودیتی روی کمترین فضای بین تپه ها ایجاد می کنند.

شکل 2 – 34

دیافراگم های سیلیکون از حدودm µ 50 به بالا به وسیله حکاکی ویفر کامل سیلیکون با KOH می تواند ساخته شود. ضخامت به وسیله زمان بندی حکاکی کنترل می شود و همین مسئله موضوعی برای خطاها می شود.

شکل 2 – 35

دیافرگم های نازک تر، در حدود ضخامت 20 µm می تواند با استفاده از بور برای متوقف کردن حکاکی KOH ساخته شود. ( شکل 2 – 36 ) ضخامت دیافراگم وابسته به عمق بور تزریق شده داخل سیلیکون می باشد، که می تواند خیلی دقیق تر از حکاکی KOH زمان بندی شده و کنترل شود.

دیافراگم سیلیکون، ساختار پایه مورد استفاده در سنسورهای فشار میکرو مهندسی است. همچنین می تواند برای استفاده بعنوان یک سنسور شتاب وفق داده شود.

حکاکی وابسته به تلغیظ می تواند برای ایجاد پل های باریک یا میله های سگدست ( Cantilever beam )، استفاده شود. شکل a یک پل را نشان می دهد که به وسیله انتشار بور تشکیل شده است. میله سگدست ( یک پل با یک سر آزاد ) نیز به وسیله روش یکسانی ایجاد می شود. ( شکل b )

دانلود تحقیق از شن تا پردازنده

اختصاصی از فی موو دانلود تحقیق از شن تا پردازنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ماده اولیه:
 امروزه همه می دانند که ماده اولیه پردازنده ها همچون دیگر مدارات مجتمع الکترونیکی، سیلیکون است.در واقع سیلیکون همان ماده سازنده شیشه است که از شن استخراج می شود. البته عناصر بسیار دیگری هم در این فرایند به کار برده می شوند و لیکن از نظر درصد وزنی، سهم مجموع این عناصر نسبت به سیلیکون به کار رفته در محصول نهایی بسیار جزئی است. آلمینیوم یکی از موارد دیگری است که در فرایند تولید پردازنده های مدرن، مس به تدریج جایگزین آلمینیوم می شود.
 علاوه بر آنکه فلز مس دارای ضریب هدایت الکتریکی بیشتری نسبت به آلمینیوم است،دلیل مهم تری هم برای استفاده از مس در طراحی پردازنده های مدرن امروزی وجود دارد. یکی از بزرگ ترین مسائلی که در طراحی پردازنده ها ی امروزی مطرح است، موضوع نیاز به ساختارهای فیزیکی ظریف تر است. به یاد دارید که اندازه ها در پردازنده های امروزی در حد چند ده نانو متر هستند. پس از آنجایی که با استفاده از فلز مس، می توان اتصالات ظریف تری ایجاد کرد، این فلز جایگزین آلومینوم شده است.
آماده سازی:
 فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی از یک جهت با بسیاری از فرایندهای تولید دیگر متفاوت است. در فرایندهای تولید قطعات الکترونیک، درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در حد بسیار بالایی اهمیت بسیار زیادی دارند. اهمیت این موضوع در حدی است که از اصطلاح electronic grade برای اشاره به درجه خلوص بسیار بالایی مواد استفاده می شود. به همین دلیل مرحله مهمی به نام آماده سازی در تمامی فرایندهای تولید قطعات الکترونیک وجود دارد. در این مرحله درجه خلوص موارد اولیه به روش های گوناگون و در مراحل متعدد افزایش داده می شود تا در نهایت به مقدار خلوص مورد نظر برسد. درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در این صنعت به اندازه ای بالاست که توسط واحدهایی مانند ppm به معنی چند اتم نا خالصی در یک میلیون اتم ماده اولیه،بیان می شوند.
آخرین مرحله خالص سازی ماده سیلیکون،به این صورت انجام می شود که یک بلور خالص سیلیکون درون ظرف سیلیکون مذاب خالص شده قرار داده می شود، تا بلور باز هم خالص تری در این ظرف رشد کند ( همان طور که بلورهای نبات در درون محلول اشباع شده به دور یک ریسمان نازک رشد می کنند ) . در واقع به این ترتیب، ماده سیلیکون مورد نیاز به صورت یک شمش تک کریستالی تهیه می شود ( یعنی تمام یک شمش بیست سانتی متری سیلیکون، یک بلور پیوسته و بدون نقض باید باشد!). این روش در صنعت تولید چیپ به روش cz معروف است. تهیه چنین شمس تک بلوری سیلیکون آن قدر اهمیت دارد که یکی از تحقیقات اخیر اینتل و دیگر شرکت های تولید کننده پردازنده، معطوف تولید شمش های سی سانتی متری سیلیکون تک بلوری بوده است. در حالی که خط تولید شمش های بیست سانتی متری سیلیکون هزینه ای معادل 5/1 میلیارد دلار در بر دارد، شرکت های تولید کننده پردازنده ، برای بدست آوردن خط تولید شمش های تک بلوری سیلیکون سی سانتی متری، 5/3 میلیارد دلار هزینه می کنند.
 موضوع جالب توجه در این مورد ان است که تغییر اندازه شمش های تک بلوری ، تاکنون سریع تر از یک بار در هر ده سال نبوده است. پس از آنکه یک بلور سیلیکونی غول آسا به شکل یک استوانه تهیه گشت، گام بعدی ورقه ورقه بریدن این بلور است. هر ورقه نازک از این سیلیکون، یک ویفر نامیده می شود که اساس ساختار پردازنده ها را تشکیل می دهد. در واقع تمام مدارات یا ترانزیستورهای لازم،بر روی این ویفر تولید می شوند. هر چه این ورقه ها نازک تر باشند،عمل برش بدون آسیب دیدن ویفر مشکلتر خواهد شد. از طرف دیگر این موضوع به معنی افزایش تعداد چیپ هایی است که میتوان با یک شمش سیلیکونی تهیه کرد. در هر صورت پس از آنکه ویفرهای سیلیکونی بریده شدند.نوبت به صیقل کاری آنها می رسد. ویفرها آنقدر صیقل داده می شوند که سطوح آنها آیینه ای شود. کوچکترین نقص در این ویفرها موجب عدم کارکرد محصول نهایی خواهد بود. به همین دلیل،یکی دیگر از مراحل بسیار دقیق بازرسی محصول در این مرحله صورت می گیرد. در این گام،علاوه بر نقص های بلوری که ممکن است در فرایند تولید شمش سیلیکون ایجاد شده باشند، نقص های حاصل از فرایند برش کریستال نیز به دقت مورد کنکاش قرار می گیرند.
پس از این مرحله،نوبت به ساخت ترانزیستورها بر روی ویفر سیلیکونی می رسد. برای این کار لازم است که مقدار بسیار دقیق و مشخصی از ماده دیگری به درون بلور سیلیکون تزریق شود. بدین معنی که بین هر مجموعه اتم سیلیکون در ساختار بلوری دقیقا” یک اتم از ماده دیگر قرار گیرد. در واقع در این مرحله نخستین گام فرایند تولید ماده نیمه هادی محسوب می شود که اساس ساختمان قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور را تشکیل می دهد. ترانزیستورهایی که در پردازنده های امروزی به کار گرفته می شوند،توسط تکنولوژی CMOS تولید می شوند.CMOS مخخف عبارتComplementary Metal Oxide Semiconductor است . در اینجا منظور از واژه Complementary آن است که در این تکنولوژی از تعامل نیمه هادی های نوع n و p استفاده می شود. بدون آنکه بخواهیم وارد جزئیات فنی چگونه تولید ترانزیستور بر روی ویفرهای سیلیکونی بشویم،تنها اشاره می کنیم که در این مرحله، بر اثر تزریق مواد گوناگون و همچنین ایجاد پوشش های فلزی فوق نازک ( در حد ضخامت چند اتم ) در مراحل متعدد، یک ساختار چند لایه ای و ساندویچی بر روی ویفر سیلیکونی اولیه شکل می گیرد. در طول این فرایند ، ویفر ساندویچی سیلیکونی در کوره ای قرار داده می شود تا تحت شرایط کنترل شده و بسیار دقیق ( حتی در اتمسفر مشخص) پخته می شود و لایه ای از sio2 بر روی ویفر ساندویچی تشکیل شود.

شامل 8 صفحه word

اقدام پژوهی چگونه توانستم اضطراب و دلهره سارا را در درس علوم تجربی برطرف سازم

اختصاصی از فی موو اقدام پژوهی چگونه توانستم اضطراب و دلهره سارا را در درس علوم تجربی برطرف سازم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت) تعداد صفحه:31

اقدام پژوهی چگونه توانستم اضطراب و دلهره سارا را در درس علوم تجربی برطرف سازم

چکیده :

نشانه وجود اضطراب در رفتار دانش آموزان بخصوص در موقعیت هایی چون امتحان ، پاسخ دادن به سوالات در کلاس ،بازی،محبت کردن در جمع ،ماندن در مدرسه می توان مشاهده و سنجش کرد.که با گذشت زمان و برخورد با دانش آموزان. یکی از مشکلات  اساسی دانش آموزان در خانه و مدرسه اضطراب است اضطراب را می توان یک حالت هیجانی شایع دانست به طوری که همه ی ما دوره یا موقعیت هایی از زندگی را به خاطر می آوریم که در آن کم و بیش دچار اضطراب شده ایم. از نظر روانپزشکی اضطراب را می توان چنین تعریق کرد : ناآرامی ،هراس و ترس ناخوشایند یا احساس خطر قریب الوقوع که منبع آن قابل شناختن نیست. من خود نیز با این مسئله روبرو شدم که یکی از دانش آموزانم به نام سارا در صحبت کردن بین جمع دچار اضطراب می شد. و در پاسخ دادن به سوالات درس علوم تجربی به لکنت زبان و دستپاچگی می افتاد.

این عامل باعث شد که من این مشکل را پی گیری نمایم.و تا حد امکان در رفع آن تلاش کنم. پس از بررسی دریافتم که یکی از مهم ترین علت اضطراب این دانش آموز نقش والدین در ایجاد و افزایش اضطراب او بود..مثلا رفتار های پرخاشگرایانه والدین با سارا ،شخصیت اضطرابی خود والدین ، ،انتظارات و توقعات بیش از توان سارا ،تبعیض قائل شدن بین فرزندان در خانواده ،رقابت جویی و... باعث تشدید اضطراب سارا شده بود.که با ایجاد ارتباط با خانواده ی وی و صحبت کردن با آنان در زمینه ایجاد فضای آرام در خانواده ،بهبود روابط والدین با وی ،شناخت شرایط و موقعیت های اضطراب زا و تلاش برای حذف آن و کمک از مشاوران با تجربه سعی نمودم که اضطراب و ترس را در سارا کاهش دهم و او را تا حدی به آرامش مطلوبی برسانم.