حافظه بلند مدت کامپیوتر Hard Disk Drive

اختصاصی از فی موو حافظه بلند مدت کامپیوتر Hard Disk Drive دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : فنی مهندسی _ کامپیوتر و IT

فرمت فایل:   doc 
حجم فایل:  (در قسمت پایین صفحه درج شده)
تعداد صفحات فایل:  19

 فروشگاه کتاب : مرجع فایل

 قسمتی از محتوای متن Word 

1. D.D

حافظه بلند مدت کامپیوتر می باشد و کلیه اطلاعات اعم از برنامه، عکس، صوت و تصویر و ... برروی این قطعه ذخیره می شود یک دیسک سخت یا هارد از چند بخش مهم تشکیل شده است که عبارتند از:

• صفحة مغناطیسی که اطلاعات برروی آن ذخیره می شود.
• هد که باعث خواندن اطلاعات می شود.
• درگاهی که دارای 40Pin می باشد که با کابل Data یا IDE که در ارتباطات است و از طریق همین کابل اطلاعات تبادل می شوند.
• درگاهی که دارای 40 Pin کی باشد که با کابل Power در ارتباط می باشد و کلیه نیازهای الکتریکی هارد را برطرف می کند.

هارد یکی از اجزای مهم و تشکیل دهندة کامپیوتر می باشد چون از کلیه اطلاعات موجود در سیستم نگهداری می کند و همچنین اصلی ترین پل ارتباطی که بین سخت افزار و نرم افزار وجود دارد یعنی سیستم عامل (OS) را برروی خود جای می دهد و تنها قطعه ای می باشد که نمی توان برروی آن قیمت گذاری کرد البته اگر شامل اطلاعات باشد چون ممکن است این اطلاعات بسیار مهم و محرمانه باشند و ارزش بالایی داشته باشد.

از لحاظ نرم افزار و سخت افزار تقسیم بندی هایی برروی هار وجود دارد که به آنها Drive می گوییم  لازم به ذکر است تا زمانی که برای هارد Drive مشخص نشود نمی توان برروی آن اطلاعات ذخیره کرد. که این تقسیم بندی ها بنا به ظرفیت هارد و نیاز کاربر مشخص می شود. در اینجا به انواع ظرفیت های هارد اشاره می کنم.

40 G.B – 60 G.B – 80 G.B – 100 G.B – 120 G.B , …

که این ظرفیت ها تا 300 G.B به همین ترتیب پیش می روند و از آن به بع به صورت 100 G.B افزایش می یابند.

تقسیم بندی هارد از لحاظ سرعت:

هاردها از لحاظ سرعت به دو دسته تقسیم می شوند که عبارتند از هاردهای با دور معمولی و هاردهای با دور بالا یا AS PLUS +

منظور از دور، چرخش صفحة مغناطیسی است چون اساس کارها چرخش این صفحه و قرار گرفتن هد برروی این صفحه است که از این طریق اطلاعات وارد کابل شده و در کامپیوتر تبادل می شوند.

تفاوت هارهای معمولی و دور بالا:

این تفاوت از لحاظ چرخش صفحة مغناطیسی است که در هاردهای معمولی با سرعتRPM5400 می باشد و در هاردهای دور بالا با سرعت RPM7200 می باشد.

که RPM مخفف کلمه Rate Per Minute به معنای دور در دقیقه می باشد. قطعاً هاردهای دور بالا بهتر می

(توضیحات کامل در داخل فایل)

 

متن کامل را می توانید دانلود نمائید چون فقط تکه هایی از متن در این صفحه درج شده به صورت نمونه

ولی در فایل دانلودی بعد پرداخت، آنی فایل را دانلود نمایید

دانلود تحقیق کامل درمورد انواع حافظه ها

اختصاصی از فی موو دانلود تحقیق کامل درمورد انواع حافظه ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 30

مقدمه     

استفاده از کامپیوتر در ایران از چند سال قبل رایج شده است . امروزه در موارد متعددی از کامپیوتراستفاده بعمل می آید. چرخه استفاده از کامپیوتر از مرحله تهیه سخت افزارهای لازم شروع و در ادامه با نصب تجهیزات سخت افزاری زمینه استفاده از مقولات دیگر نظیر : نرم افزار، شبکه ،اینترنت و ... فراهم می‌گردد. در زمینه بکارگیری و استفاده از پتانسیل های فوق سوالات متعدد کاربردی برای هر یک از کاربران با سطوح متفاوت اطلاعاتی مطرح بوده و خواهد بود. تنها با یافتن پاسخ مناسب علمی به هر یک از موارد مطرح شده است که می توان امیدوار به ایجاد یک زیر ساخت مناسب فرهنگی بمنظور استفاده از کامپیوتر در جایگاه واقعی خود بود. در صورت نیل به هدف فوق شتاب حرکات هدفمند بمنظور نهادینه شدن فرهنگ عمومی استفاده و بکارگیری سیستم های سخت افزاری نرم افزاری و شبکه سیر منطقی و معقول خود را طی خواهد کرد.

سخت افزار

حافظه ROM

 . این نوع از حافظه ها علاوه بر استفاده در کامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الکترونیکی نیز بخدمت گرفته می شوند . :

• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM
• Flash Memory

هر یک از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:

• داد های ذخیره شده در این نوع تراشته ها " غیر فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند.
• داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

مبانی حافظه های ROM

حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبکه ای از سطر و ستون تشکیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر وستون در یک نقظه یکدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت اساسی با تراشه های RAM می باشند. حافظه RAM از " ترانزیستور " بمنظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یک " خازن " در نقاط برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیکه تراشه های ROM از یک " دیود" (Diode) استفاده می نماید. در صورتیکه خطوط مربوطه "یک" باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار "صفر" باشد خطوط به یکدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا" امکان حرکت " جریان " را در یک جهت ایجاد کرده و دارای یک نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا" (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می کند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیکون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا" معادل شش دهم ولت است .با بهره گیری از ویژگی منحصر بفرد دیود، یک تراشه ROM قادر به ارسال یک شارژ بالاتر از Forward breakover و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی ground شده در یک سلول خاص است .در صورتیکه دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد، شارژ هدایت شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یک )، سلول یک خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیکه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.

همانطور که اشاره گردید، تراشه ROM ، مستلزم برنامه نویسی وذخیره داده در زمان ساخت است . یک تراشه استاندارد ROM را نمی توان برنامه ریزی مجدد و اطلاعات جدیدی را در آن نوشت . در صورتیکه داده ها درست نبوده و یا مستلزم تغییر و یا ویرایش باشند، می بایست تراشه را دور انداخت و مجددا" از ابتدا عملیات برنامه ریزی یک تراشه جدید را انجام داد.فرآیند ایجاد تمپلیت اولیه برای تراشه های ROM دشوار است .اما مزیت حافظه ROM بر برخی معایب آن غلبه می نماید. زمانیکه تمپلیت تکمیل گردید تراشه آماده شده، می تواند بصورت انبوه و با قیمت ارزان به فروش رسد.این نوع از حافظه ها از برق ناچیزی استفاده کرده ، قابل اعتماد بوده و در رابطه با اغلب دستگاههای الکترونیکی کوچک، شامل تمامی دستورالعمل های لازم بمنظور کنترل دستگاه مورد نظر خواهند بود.استفاده از این نوع تراشه ها در برخی از اسباب بازیها برای نواختن موسیقی، آواز و ... متداول است .

حافظه PROM

تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یک سطر Grounded که نماینگر مقدار "یک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یک تراشه PROM دارای مقدار اولیه " یک" است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به صفر، از یک Programmer برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد کرد. فرآیند فوق را " Burning the PROM " می گویند. حافظه های PROM صرفا" یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فیور در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.

حافظه EPROM

استفاده کاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نیاز به اعمال تغییرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نیاز های مطح شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های EPROM را می توان چندین مرتبه باز نویسی کرد. پاک نمودن محتویات یک تراشه EPROM مشتلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن یک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پیکربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یک Programmer از نوع EPROM است که یک ولتاژ را در یک سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در یک EPROM سلول موجود در نقظه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزیستور است .ترانزیستورهای فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating Gate و دیگری Control Gate نامیده می شود. Floating gate صرفا" از طریق Control gate به سطر مرتبط است. مادامیکه لینک برقرارباشد سلول دارای مقدار یک خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نیاز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.یک شارژ الکتریکی بین 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخلیه خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار "یک" را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به "صفر" تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است.

بمنظور باز نویسی یک EPROM می بایست در ابتدا محتویات آن پاک گردد. برای پاک نمودن می بایست یک سطح از انرژی زیاد را بمنظور شکستن الکترون های منفی Floating gate استفاده کرد.در یک EPROM استاندارد ،عملیات فوق از طریق اشعه ماوراء بنفش با فرکانس 253/7 انحام می گردد.فرآیند حذف در EPROM انتخابی نبوده و تمام محتویات آن حذف خواهد شد. برای حذف یک EPROM می بایست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقیقه زیر اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده EPROM قرار داد.

حافظه های EEPROM و Flash Memory

با اینکه حافظه ای EPROM یک موفقیت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکن نیازمند بکارگیری تجهیزات خاص و دنبال نمودن فرآیندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به یک شارژ نیاز باشد. در ضمن، فرآیند اعمال تغییرات در یک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نیاز و بصورت تصاعدی صورت پذیرد و در ابتدا می بایست تمام محتویات را پاک نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نیازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهیلات زیر ارائه می گردد:

• برای بازنویسی تراشه نیاز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.
• برای تغییر بخشی از تراشه نیاز به پاک نمودن تمام محتویات نخواهد بود.
• اعمال تغییرات در این نوع تراشه ها مستلزم بکارگیری یک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از یک برنامه محلی و بکمک یک میدان الکتریکی به وضعیت طبیعی برگرداند. عملیات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا" آنها را بازنویسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه یک بایت را تغییر خواهند داد.فرآیند اعمال تغییرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بایست اطلاعات با سرعت تغییر یابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

تولیدکنندگان با ارائه Flash Memory که یک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدودیت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Falsh از مدارات از قبل پیش بینی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی). در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شکل زیر حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

مبانی نظری درباره حافظه

اختصاصی از فی موو مبانی نظری درباره حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مبانی نظری درباره حافظه

توضیحات: فصل دوم مقاله کارشناسی ارشد (پیشینه و مبانی نظری پژوهش)

همراه با منبع نویسی درون متنی به شیوه APA جهت استفاده فصل دو مقاله

توضیحات نظری کامل در مورد متغیر

پیشینه داخلی و خارجی در مورد متغیر مربوطه و متغیرهای مشابه

رفرنس نویسی و پاورقی دقیق و مناسب

منبع :    انگلیسی وفارسی دارد (به شیوه APA)

نوع فایل:     WORD و قابل ویرایش با فرمت doc

قسمتی از متن مبانی نظری و پیشینه

حافظه

ماهیت حافظه ­ی انسان

یکی از حوزه­های بانفوذ و مورد علاقه­ی محققان در روان­­شناسی شناختی مطالعات مربوط به حافظه است ( کرمی نوری، 1390). اصطلاح حافظه مفهومی کلی دارد و به آن گروه از جریانات روانی که فرد را به ذخیره کردن تجارب و ادراکات و یادآوری مجدد آن­ها قادر می­سازد، اطلاق می­شود ( سولسو[1]، 1991). حافظه روندی است که به وسیله­ی آن اطلاعات کد گذاری، ذخیره، و بعداً یادآوری می­شود
( توماس[2] و کندل، 2002). در واقع بدون در اختیار داشتن حافظه و مهارت­های آن زندگی با سرعت  فزاینده­ای از هم می­پاشید و زیر بنای تمام تفکرات و ایده­ها و اساس آن­چیزی است که یادگرفته­ایم
( ساعد، 1389). قدیمی ترین تعریف از حافظه به دیدگاه افلاطون بر می­گردد. وی حافظه را به قفس پرندگان تشبیه کرد: ورود پرنده­ی جدید به قفس مانند ورود اطلاعات جدید به حافظه است و گرفتن یک پرنده از قفس به مثابه به یادآوردن اطلاعات جدید از حافظه است.

به نظر افلاطون یادآوری اطلاعات به سه دلیل دچار وقفه می­شود:

اول آن که پرنده­ی مورد نظر از همان ابتدا در قفس جای نگرفته باشد، یعنی هیچ­گونه بازنمایی از حادثه ( ماده­ی یادگیری ) مورد نظر در حافظه موجود نباشد. در این صورت ناتوانی یادآوری به عدم یادگیری اولیه مربوط می­شود. 

[1]- Solso

[2] - Thomas

نمایش سلوشن مشکل کارت حافظه گوشی Nokia Asha 202,203 با لینک مستقیم

اختصاصی از فی موو نمایش سلوشن مشکل کارت حافظه گوشی Nokia Asha 202,203 با لینک مستقیم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع :

نمایش سلوشن مشکل کارت حافظه گوشی Nokia Asha 202,203 با لینک مستقیم

میتوانید فایل آموزشی این مدل گوشی را از طریق لینک مستقیم دانلود نمایید

نمونه پرسشنامه تاثیر حافظه سازمانی و یادگیری بر مزیت رقابتی پایدار در شرکت بیمه

اختصاصی از فی موو نمونه پرسشنامه تاثیر حافظه سازمانی و یادگیری بر مزیت رقابتی پایدار در شرکت بیمه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پرسشنامه حاضر با هدف انجام پروژه ای تحت عنوان بررسی تاثیر حافظه سازمانی و قابلیت های یادگیری بر مزیت رقابتی پایدار در شرکت بیمه آسیا، طراحی شده و به صورت 43 سوال در 5 شاخص در اختیار شما عزیزان قرار گرفته است، در صورت تمایل می توانید این محصول را از فروشگاه خریداری و دانلود نمایید.