گزارش کاراموزی شرکت دانش هوشیار الکترونیک

اختصاصی از فی موو گزارش کاراموزی شرکت دانش هوشیار الکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:112

فهرست و توضیحات:

صفحه

فصل اول: آشنایی کلی با مکان کارآموزی

معرفی شرکت دانش هوشیار الکترونیک............... 2

فصل دوم: ارزیابی بخشهای مرتبط با رشته علمی کارآموز

تولید کنندگان، بخش طراحی و ساخت، بخش تعمیرات و نگهداری   4

نتیجه گیری..................................... 4

پیشنهاد برای بهبود کار در صنعت الکترونیک....... 5

فصل سوم

مقدمه : آشنایی با ساخت پیوند p-n............. 8

ساختمان کریستالی نیمه هادی..................... 10

ترانزیستورها.................................. 13

 ترانزیستور دوقطبی پیوندی....................... 15

 ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)................ 15

 ترانزیستور اثر میدان MOS...................... 18

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت.... 19

شکل و پایه های ترانزیستورها.................... 20

آشنایی با آی سی های سری 7400................. 29

1. TTL............................................. 29
2. CMOS........................................... 31

خازن........................................... 32

خازنهای قطب دار ............................... 34

خازن های تانتالیوم............................. 35

 خازنهای بدون قطب ............................. 36

 کد رنگی خازن ها .............................. 37

 خازن های متغیر ............................... 39

خازن های تریمر ................................ 39

سنسورها....................................... 40

حسگرهای مافوق صوت.............................. 42

حسگرهای تماسی ................................. 44

حسگرهای هم جواری .............................. 44

حسگرهای دور برد ............................... 45

حسگر نوری ..................................... 46

آشنائی با LCD.................................. 47

رله ها......................................... 53

منابع تغذیه................................... 55

منطق دیجیتال.................................. 57

سیستم های دیجیتال.............................. 60

مدارهای ترتیبی................................. 64

حافظه های الکترونیکی........................... 67

کار با مولتی متر.............................. 70

کار با اسیلوسکوپ.............................. 74

فصل چهارم: چند آی سی پر کار برد

آی سی 555...................................... 83

 آی سی موتور درایور ال 298................... 84

فرایند رونشستی به طور وسیع در ساخت مدارهای مجتمع (IC)ها به کار می رود. دیود p-n تشکیل شده در فرایند رونشستی (epi) به طور معکوس با یاس می شود تا مدار را از پایه (پولک میزبان جدا سازد . اخیرأ از روش رونشستی در شکل دهی ساختارهای SOS مخفف Si-on_sapphire یا Si-on-spinel
سیلیسیم)روی یاقوت سرخ یا یاقوت کبود ) است. یاقوتهای کبود , ترکیبات گوناگونی از اکسید منیزیم (Mgo)
و اکسیدآلومینیم (Al203) هستند و ارتباط نزدیکی با یاقوت سرخ دارند . به طور خلاصه ناخالصی سیلیسیم به طریق رونشستی بر روی پایه های یاقوت سرخ یا کبود رشد داده می شود .

انگیزه استفاده از پایه های یاقوت سرخ یا کبود , کیفیت عایق بودن این پایه ها در جدا سازی مدارها در طراحی IC های حاوی ادوات سریع ,به خصوص مدارهای مجتمع در مقیاس فشرده (LSI) است .

ساختمان کریستالی نیمه هادی

همانطور که هادی ها در صنعت امروزی به خصوص در زمینه های حرارتی و برودتی کاربردی ویژه یافته اند عناصر نیمه هادی نیز اهمیت زیادی در صنعت الکترونیک و ساخت قطعات پیدا کرده اند.

هدف اصلی که در الکترونیک آنالوگ دنبال می شود تقویت سیگنالها بدون تغییر شکل آن سیگنال است. همین هدف بشر را به سمت استفاده از نیمه هادی ها در ساخت قطعات تقویت کننده پیش برده است. اما آن چیزی که عملکرد این قطعات را رقم می زند چگونگی حرکت الکترون ها و حفره ها در ساختار کریستالی این عناصر می باشد.

و این مقدمه ای ست برای پیدایش قطعاتی نظیر ترانزیستور ها –دیود ها و... عامل موثر بر چگونگی حرکت الکترون ها و حفرها چیزی نیست جز درجه حرارت. به طوری که گفته شد درجه حرارت صفر مطلق ساختمان کریستالی نیمه هادی هایی نظیر ژرمانیوم و سیلسکن را تحت تاثیر خود قرار می دهد. یعنی در این درجه حرارت الکترون ها کاملا در باند ظرفیت قرار گرفته و نیمه هادی نظیر یک عایق عمل می کند. (به علت اینکه هیچ الکترون آزادی در باند هدایت خود ندارد).