لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:96
فهرست مطالب
مقدمه :
پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:
1-معرفی
- فیزیک پلاسما
- فرآیند ریزالکترونیک
2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)
- مدل سیفتیک گازی
- مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
- مدل گازی ساده شده
- محتوای انرژی
- نرخ برخورد بین مولکولها
- مسیر آزاد
- سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
- فشار گازی
- خواص انتقال
- جریان گاز
- وضعیت سیال
- رسانایی رساناها
- احتمال برخورد
- پراکندگی گاز- گار
- پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
- انتشار ارتجاعی
- برخورد غیر ارتجاعی
- نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
- عکس العمل های فاز- گازی
3-فیزیک پلاسما
- توزیع انرژی الکترونی
- سینتیک همگونی پلاسما
- مدل توزیع (مارجینوا)
- مدل توزیع (دروی وشتاین)
- انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
- سینتیک گاز رقیق شده
- شکافت انتشار دو قطبی
- تجمع غلاف
- سینتیک سادة غلاف
- حفاظت یا پوشش «دیبای»
- تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
- آزمایش غلاف بوهم
- خصوصیات میلة آزمایش
- شکست و نگهداری، تخلیة rf
- تقریب میدان مشابه
- تقریب میدان غیرمشابه
- مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
- اندازه گیری تخریب rf
- مدل توازن الکترونیکی
- مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
- ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
- خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
- سیستم همگن (متقارن)
- توزیع ولتاژ در سیستم rf
- توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
- مدار معادل تخلیة rf
- تنظیم الکترودها
- سینتیک بمباران یونی
- تخلیة اپتیکی
- لم اندازه گیری حرکت
- ریزنگاری تخلیة اپتیکی
- فرآیند برخورد الکترون
- برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما
4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)
- امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
- بمباران خنثی امیژن ثانویه
- عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
- ناحیة کاتدی
- یونیزاسیون در غلاف
- توزیع انرژی یونها
- الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
- ناحیة آند
- مدل سازی پلاسمایی DC
5-تخلیه های Rf
- فیزیک پلاسمای rf خازنی
- فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
- فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
- فیزیک تخلیة هلیکون
پیکره بندی و سخت افزار رآکتور
- همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
- شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
- تنظیم کننده های موج کوتاه
- رآکتورهای لوله ای
- رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
- رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
- گیرندگان یون واکنشی
- گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
- گیرندگان اشعه یون واکنشی
- بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
- گیرندگان دیودی ارتجاعی
- رآکتورهای تریودی
- بایاسینگ Rf
- محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
- منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
- ECR توزیع شده
- منابع در حال جریان نزولی
- ماگنترولها
- مونتاژ کردن لایه لایه ای
- تبرید برگشتی هلیوم
- محکم کاری الکترواستاتیک
- جستجوی نقطة نهایی
- تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
- ثبت حرکات تداخلی
- ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
- مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
- فاز گازی
- تولید اتم اکسیژن
- بارگزاری رآکتورها
- واکنشهای سطحی
- شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
- ارتقاء پلمیری
- سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
- الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
- اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
- پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
- مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
- الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
- الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
- الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
- مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
- توده نگاری میکروسکوپی
- میلة آزمایش لانگ میر
- فلورسنت القایی با لیزر
- تحلیل امپدانس پلاسمایی
- ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده
طیف نگاری تخلیه اپتیکی
8-الکترون گیری جلوه ها
- ده مبارزه برتر الکترون گیری
- مکانیزمهای گسترش مقطعی
- جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
- پراکندگی یونی در جوله های خاص
- تغییر سطوح در جلوه های ویژه
- الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
- اتم گیری با القاء یونی
- اتم گیری خودبخود
- جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
- جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
- شکست
- جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
- نسبت منظری الکترون گیری وابسته
- تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات
9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی
- مدل سازی سطحی ساده شده
- خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
- مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
- پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
- انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
- پراکندگی از قسمت سطح منبع
- ارتقاء کیفیت سطحی
- مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
- تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
- پراکندگی یونی
- جهت دار شدن یونی
- زاویة ماسک
- ترکیب مجدد سطحی
- جابجایی از پلاسما
- تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
- خشن کردن سطوح در حین اتم گیری
10-تخریب پلاسما
- آلودگی
- خصوصیات منحصر به فرد
- تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
- تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
- تخریب چهارچوبها و قابها
- خوردگی بعد از اتم گیری
11-فرآیندهای اتم گیری
- الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
- پلی سیلیکون
- الکترون گیری دروازه ای
- الکترون گیری اکسیدی
- الکترون گیری نیتریدی
- الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
- الکترون گیری آلومینیوم
- الکترون گیری مس
12-جابجایی
- انتشار
- جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
- جابجایی انتشار بایاس
- تنظیم با خط صحیح دید
- منابع رطوبت ده با غلظت بالا
- ترکیب و آلیاژ
- جابجایی انتشاری عکس العملی
- مقدمه چینی برای هدف
- جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
- وسایل و تجهیزات مربوط به VD
- تمیز کردن اطاقک واکنش
- عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
- نیترید سیلیکون
- دی اکسید سیلیکون
- آکسی فلورید یدهای سیلیکون
- اکسیدهای سیلیکون و کربن
- لایه های پرفلور و کربن
13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ
- جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
- استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
- مقیاس گذاری منابع پلاسما
- منابع پلاسمای خطی
- منابع جاری پلاسما
14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند
- وسایل عمل آزمایشی
- آزمایشات
- مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
- مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
- استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
- کاهش PFCهای دیگر
- جمع بندی
- کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
- سابقه
- خلاصة نتایج
- نمرة تحقیقات و نتا
معرفی سمینار (همایش)
تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.
بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.
نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار
هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.
شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin
سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:
مقاله در مورد یون گیری واکنشی