دانلود فایل نایاب EFS سامسونگ j700f
EFS_SM-J700F_J700FXXU1AOFJ__R28GA0GK9VD_14-5-2016_18-30-23.tar
قابل استفاده با باکس Z3X
این فایل و تمامی فایل های موجود در این فروشگاه تست شده و سالم هستند، ولی ما تا آخرین لحظه پاسخگوی مشکلات و سوالات شما عزیزان می باشیم: تلگرام مدیر و پشتیبانی فروشگاه: poshtibani876@
معرفی :
اقدام پژوهی :
چگونه مانع افت درسی دانش آموزان پایه دوم دبیرستان در درس عربی شدم؟
تعداد صفحات 39صفحه – بصورت ورد و قابل ویرایش
– فهرست مطالب در زیر آمده است :
چکیده:
افت تحصیلی کاهش عملکرد دانش آموز از رضایت بخش به نامطلوب است، اگر بین استعداد بالقوه و بالفعل دانش آموزی فاصله ای ایجاد شود، از آن به عنوان افت تحصیلی یاد می شود و بهترین شاخص در این زمینه مقایسه عملکرد قبلی و فعلی است
دراین پژوهش که در مدرسه متوسطه ومقطع دوم متوسطه در درس عربی صورت گرفته دلایل افت درسی دانش آموزان با استفاده از روش پرسش نامه ومصاحبه بااولیاء مورد بررسی قرارگرفته است .
ارتباط نزدیکی بین آموخته های قبلی دانش آموزان با مطالب درس جدید وجود دارد.
مشارکت دانش آموزان در تدریس ها به تعمیق آموخته های اوکمک شایانی می کند.
انجام بازی فردی وگروهی کلاس راشاداب وازدلزدگی نسبت به درس عربی می کاهد.
عامل تشویق تاثیر محسوسی در بهبود فرآیند یادگیری دارد.
استفاده از وسایل کمک آموزشی در یادگیری دانش اموزآن نقش مثبت دارد.
کلید واژه :
عربی – دوم متوسطه – افت درسی
فهرست مطالب
چکیده:
کلید واژه :
مقدمه
منظور از افت تحصیلی چیست؟
خسارتهای ناشی از افت تحصیلی:
عوامل موثر بر افت تحصیلی:
زبان عربی
توصیف وضعیت موجود
زمینه های پیدایش مساله:
اهمیت پژوهش:
اهداف تحقیق:
روش جمع آوری اطلاعات (شواهد 1 )
نتایج حاصل از فرم نظر سنجی:
گردآوری اطلاعات شواهد 2
پیشنهادات:
منابع
در سال 1831-1832 مایکل فارادی کشف کرد که اگر از درون یک حلقه ی سیم، شار متغیری بگذرد، ولتاژی در آن القا می شود که با آهنگ زمانی تغییر شار تناسب مستقیم دارد
برای دانلود کل پاپورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:
دانلود تحلیل محتوای کتاب علوم ششم ابتدایی با روش تعیین سطح خوانایی کلوز بافرمت pdf تعداد صفحات 5
چکیده
کتاب درسی مرجع رسمی مورد استناد برای تعیین محتوا و برنامه ی آموزشی بوده و راهنمای عمل برای کلیه کارگزاران آموزش و پرورش است )آو ، 7002 (. بنا به اهمیت کتاب درسی در نظام های آموزشی متمرکز همچون نظام آموزشی کشورما در این پژوهش سعی بر آ ن است تا میزان درک دانش آموزا ن پایه ششم ابتدایی از کتاب علو م این پایه را با استفاده از روش کلوز مورد بررسی قرار دهد. نتایج حاکی از آ ن است که متن این کتاب در سطح آموزشی قررار دارد و برای تدریس توسط معلم مناسب می باشد.
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:112
فهرست و توضیحات:
صفحه
فصل اول: آشنایی کلی با مکان کارآموزی
معرفی شرکت دانش هوشیار الکترونیک............... 2
فصل دوم: ارزیابی بخشهای مرتبط با رشته علمی کارآموز
تولید کنندگان، بخش طراحی و ساخت، بخش تعمیرات و نگهداری 4
نتیجه گیری..................................... 4
پیشنهاد برای بهبود کار در صنعت الکترونیک....... 5
فصل سوم
مقدمه : آشنایی با ساخت پیوند p-n............. 8
ساختمان کریستالی نیمه هادی..................... 10
ترانزیستورها.................................. 13
ترانزیستور دوقطبی پیوندی....................... 15
ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)................ 15
ترانزیستور اثر میدان MOS...................... 18
ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت.... 19
شکل و پایه های ترانزیستورها.................... 20
آشنایی با آی سی های سری 7400................. 29
خازن........................................... 32
خازنهای قطب دار ............................... 34
خازن های تانتالیوم............................. 35
خازنهای بدون قطب ............................. 36
کد رنگی خازن ها .............................. 37
خازن های متغیر ............................... 39
خازن های تریمر ................................ 39
سنسورها....................................... 40
حسگرهای مافوق صوت.............................. 42
حسگرهای تماسی ................................. 44
حسگرهای هم جواری .............................. 44
حسگرهای دور برد ............................... 45
حسگر نوری ..................................... 46
آشنائی با LCD.................................. 47
رله ها......................................... 53
منابع تغذیه................................... 55
منطق دیجیتال.................................. 57
سیستم های دیجیتال.............................. 60
مدارهای ترتیبی................................. 64
حافظه های الکترونیکی........................... 67
کار با مولتی متر.............................. 70
کار با اسیلوسکوپ.............................. 74
فصل چهارم: چند آی سی پر کار برد
آی سی 555...................................... 83
آی سی موتور درایور ال 298................... 84
فرایند رونشستی به طور وسیع در ساخت مدارهای مجتمع (IC)ها به کار می رود. دیود p-n تشکیل شده در فرایند رونشستی (epi) به طور معکوس با یاس می شود تا مدار را از پایه (پولک میزبان جدا سازد . اخیرأ از روش رونشستی در شکل دهی ساختارهای SOS مخفف Si-on_sapphire یا Si-on-spinel
سیلیسیم)روی یاقوت سرخ یا یاقوت کبود ) است. یاقوتهای کبود , ترکیبات گوناگونی از اکسید منیزیم (Mgo)
و اکسیدآلومینیم (Al203) هستند و ارتباط نزدیکی با یاقوت سرخ دارند . به طور خلاصه ناخالصی سیلیسیم به طریق رونشستی بر روی پایه های یاقوت سرخ یا کبود رشد داده می شود .
انگیزه استفاده از پایه های یاقوت سرخ یا کبود , کیفیت عایق بودن این پایه ها در جدا سازی مدارها در طراحی IC های حاوی ادوات سریع ,به خصوص مدارهای مجتمع در مقیاس فشرده (LSI) است .
ساختمان کریستالی نیمه هادی
همانطور که هادی ها در صنعت امروزی به خصوص در زمینه های حرارتی و برودتی کاربردی ویژه یافته اند عناصر نیمه هادی نیز اهمیت زیادی در صنعت الکترونیک و ساخت قطعات پیدا کرده اند.
هدف اصلی که در الکترونیک آنالوگ دنبال می شود تقویت سیگنالها بدون تغییر شکل آن سیگنال است. همین هدف بشر را به سمت استفاده از نیمه هادی ها در ساخت قطعات تقویت کننده پیش برده است. اما آن چیزی که عملکرد این قطعات را رقم می زند چگونگی حرکت الکترون ها و حفره ها در ساختار کریستالی این عناصر می باشد.
و این مقدمه ای ست برای پیدایش قطعاتی نظیر ترانزیستور ها –دیود ها و... عامل موثر بر چگونگی حرکت الکترون ها و حفرها چیزی نیست جز درجه حرارت. به طوری که گفته شد درجه حرارت صفر مطلق ساختمان کریستالی نیمه هادی هایی نظیر ژرمانیوم و سیلسکن را تحت تاثیر خود قرار می دهد. یعنی در این درجه حرارت الکترون ها کاملا در باند ظرفیت قرار گرفته و نیمه هادی نظیر یک عایق عمل می کند. (به علت اینکه هیچ الکترون آزادی در باند هدایت خود ندارد).