هنر اصیل ایرانی سفالگری و نقوش روی سفال

اختصاصی از فی موو هنر اصیل ایرانی سفالگری و نقوش روی سفال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات106

موقعیت جغرافیایی ایران بگونه ای است که همواره مورد سکونت انسانها از هزاران سال پیش از تاریخ قرار گرفته است. نجد ایران مثلثی است بین دو فرورفتگی خلیج فارس در جنوب و دریای خزر در شمال. کوههای مغرب یا سلسله زاگراس از شمال غربی به جنوب شرقی امتداد یافته است و سلسله جبال البرز در قسمت شمالی مثلث مذکور قرار گرفته است.
به شهادت تاریخ و گواهی باستانشناسانی که از سالها قبل از این، در مناطق مختلف و بر روی آثار بجای مانده از ایران باستان کند و کاو می کردند نجدایران از جمله اولیه نواحی سکونت بشر اولیه بوده است. در قسمت داخلی نجد ایران از جمله مناطقی که مورد سکونت قرار گرفته است دشت پهناور خوزستان یا سوزیانای قدیم است این دشت که در قسمت جنوب غربی قرار گرفته است همان امتداد دشت بین النهرین است.
تحقیقات باستانشناسی نشان داده است که انسان عهد حجر که تازه از کوه فرود آمده و در دشت سکونت گزیده بود بر روی مسیر کمانی شکل اطراف کویر نمک واقع در مرکز ایران ساکن شد. (هزاره پنجم ق.م) از جمله قرارگاههای انسانی بر روی این مسیر سیلک کاشان، قم، ساوه، ری و دامغان است.
بشر اولیه تا زمانی که یکجا نشینی را آغاز نکرد نتوانست به طور مطلوب از صنایع مختلف از جمله سفالگری، کشاورزی، دامداری و غیره بهره لازم را ببرد. اگرچه باستانشناسان، قدیمی ترین ظروف گلی حرارت دیده را به هشت هزار ق.م نسبت می‌دهند و نمونه آن در غار کمربند در نزدیکی بهشهر بدست آمده لیکن سفالهای این دوره ضخیم، کم پخت، شکننده، خشن، قهوه ای رنگ و بدون نقش است و در آن مقدار زیادی علف به عنوان شاموت بکار رفته است و این نشاندهنده آن است که سفال در این سالها در مرحله ابتدایی پیشرفت خود بوده است و احتمالاً مدت زمان زیادی از استفاده پوسته کاسه ای گیاهان و قطعات سنگی با سطح مقعر به عنوان ظرف نگذشته بوده است.

آموزش تصویری Linux ( اوبونتو و دبیان) بر روی اندروید [روت]

اختصاصی از فی موو آموزش تصویری Linux ( اوبونتو و دبیان) بر روی اندروید [روت] دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع:

آموزش تصویری Linux ( اوبونتو و دبیان) بر روی اندروید [روت]

تحقیق در مورد مرگ پردازنده های پنتیوم و آینده کار هنری روی پلتفرم اینتل

اختصاصی از فی موو تحقیق در مورد مرگ پردازنده های پنتیوم و آینده کار هنری روی پلتفرم اینتل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه6

نتیوم ، نسل پنجم پردازنده های شرکت اینتل دارد به آرامی به پایان خود نزدیک می شود.
پنتیوم که در سال 1993 پس از پردازنده های 486 به بازار معرفی شد در ابتدا قرار بود 586 نام بگیرد ولی به دلیل اینکه از نظر حقوقی ثبت اعداد به عنوان نام تجاری ممکن نیست و اینتل نمیخواست رقبا بتوانند نام گذاری مشابهی برای محصولات خود داشته باشند نام آن را به پنتیوم تغییر داد. ( که این کار موجب شد رقیب بزرگ اینتل یعنی ای.ام.دی نام محصولات خود را به K5,K6 و Athlon تغییر دهد). مهم ترین تغییرات پنتیوم نسبت به 486 شامل معماری ابر اسکالار -Superscalar - ( که به پردازنده اجازه می دهد در یک چرخه بیش از یک دستور العمل را اجرا کند) ، باند 64 بیتی اطلاعات و مجموعه دستور العمل های MMX بود. پنتیوم عملا سالهاست که تنها پردازنده CISC مطرح جهان است و این در حالی است که تمامی رقبای آن یعنی Sparc, Mips,Alpha,PowerPC از معماری مدرن تر RISC استفاده می کنند. البته پنتیوم های مدرن نیز در هسته اصلی خود دستور العمل ها را از سیسک به ریسک تبدیل می کنند. پنتیوم نقطه ضعف های دیگری نیز نسبت به رقبای خود دارد که از جمله میتوان مصرف بالا، تولید حرارت زیاد، استفاده از دستورالعمل های 32 بیتی (رقبا همگی 64 بیتی هستند)و نیاز به فرکانس بالا برای رقابت با سایر پردازنده های هم نسل خود را نام برد.
در واقع این که پنتیوم به سرعت به پایان زندگی خود نزدیک می شود کاملا قابل پیشبینی بود. در واقع سالهاست که اینتل پردازنده های مدرن 64 بیتی خود به نام ایتانیوم را به عنوان جایگزین پنتیوم و برادر پرقدرت تر آن یعنی -Xeon- به مشتریان پیشنهاد می کند. پس این سوال به ذهن میرسد که خوب پس حالا که مردم به زودی پنتیوم های خود را به ایتانیوم ارتقا خواهند داد و همه چیز به خوبی تمام خواهد شد چه جای نگرانی است و چرا باید این مطلب را بخوانیم؟

پاسخ خیلی ساده است: اگر به اطراف خود نگاه کنید هیچ اثری از پردازنده های ایتانیوم نمی بینید. در واقع فروش ایتانیوم مانند قدرت محاسباتی و بازده آن بسیار پایین تر از سطح انتظار بوده است. پروژه ایتانیوم از زمان تولد تا به حال دچار مشکلات زیادی بوده است به شکلی که اگر اینتل ایتانیوم را رها کند هم جای تعجب زیادی نخواهد بود. سوای فروش ضعیف و قدرت پردازش ناکافی نه تنها در مقایسه با رقبای مانند اولترا اسپارک و پاور پی سی ، حتی در برابر محصولات خود شرکت یعنی پنتیوم 4 و زئون نیز قابل قبول نبوده است، اینتل اولین ضربه را از رقیب هوشمند خود یعنی ای.ام.دی زمانی خورد که مجبور شد معماری 64 بیتی خود را رها کند و پردازنده هایش را با معماری موسوم به AMD64 ادونسد میکرو دیوایسز بسازد. در این مورد خاص کلک همیشگی گمراه کردن مردم و رسانه ها با نامگذاری های پیچیده نیز مانند ماجرای پردازنده های Pentium M و کمپین تبلیغاتی Centrino که باعث شده بیشتر مردم فکر کنند سنترینو یک پردازنده است نگرفت و عموم جامعه آی تی امروزه می دانند که معماری EM64T اینتل درواقع همان AMD64 ای.ام.دی است که نامش عوض شده تا کسی متوجه نشود که اینتل دارد عملا از تکنولوژی شرکت رقیب اش درس می گیرد.

ضربه دوم کاری به پردازنده ایتانیوم شکست فروش آن در بازار ایستگاه های کاری بود و این در زمانی اتفاق افتاد که اچ.پی ایستگاه های کاری ایتانیوم خود را از بازار خارج کرد. (برای اینکه متوجه عمق فاجعه شوید توجه شما را به این نکته جلب می کنم که90 در صد فروش ایتانیوم متعلق به اچ .پی بود) شکست های پی در پی ایتانیوم در برابر موفقیت های پی در پی ای.ام.دی که عملا از زمانی که پردازنده های اتلون را وارد بازار کرده تا به حال تغییر استراتژی خاصی نداشته بسیار قابل توجه است خصوصا اگر "نقشه راه" پردازنده های پنتیوم را نگاه کنید تا متوجه شوید اینتل چند بار در معماری پردازنده های خود تغییر عقیده داده است:

استراتژی اول اینتل :

از Pentium Pro به Pentium III به Pentium M ( میتوان آن را مسیر سنترینو نام گذاری کرد )

این مسیر پردازنده های خنک، با فرکانس پایین و کم مصرف اینتل است. (توجه کنید که چطور اینتل دارد پردازنده های سرور و لپتاپ خود را یکی می کند.

استراتژی دوم اینتل

سمینار کارشناسی ارشد شیمی به کار گیری ذرات نانو نقره روی کالای متشکل از الیاف طبیعی

اختصاصی از فی موو سمینار کارشناسی ارشد شیمی به کار گیری ذرات نانو نقره روی کالای متشکل از الیاف طبیعی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این محصول در قالب پی دی اف و 59 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد شیمی-شیمی نساجی و علوم الیاف طراحی و تدوین گردیده است. و شامل کلیه موارد مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد. نمونه های مشابه این عنوان با قیمت بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیز جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه به منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالا بردن سطح علمی شما در این سایت قرار گرفته است.

دانلود پروژه مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل

اختصاصی از فی موو دانلود پروژه مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در کار حاضر هدف ما بررسی تاثیر نیروی لورتنس ناشی از تداخل میدان های الکترومغناطیسی و میدان جریان سیال، بر روی جریان سیال یونیزه آب نمک از روی ایرفویل NACA0015 می‌باشد. در اثر تاثیر این نیروها دیده می‌شود که ضریب لیفت افزایش و ضریب درگ کاهش می یابد و همچنین زاویه استال افزایش می یابد.

با توجه به اثرات مثبت این پدیده بر جریان سیال، تحقیقات گسترده ای بر روی این روش انجام شده و در صنعت ساخت هواپیما و زیر دریایی می‌تواند گره گشای برخی نواقص باشد.

مقدمه...............................................................................................................
عنوان ............................................................................................................... صفحه

فصل اول- تعاریف مفاهیم به کار رفته در این گزارش.................................................

فصل دوم: روش های حل معادلات توربولانس....................................................................................

     2-1 روش استاندارد .........................................................................

          2-1-1 معادلات حامل در مدل استاندارد ..............................................................

          2-1-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل استاندارد .......................................

          2-2-3 ثابت‌های مدل استاندارد ..............................................................................

     2-2 مدل RNG.................................................................................

          2-2-1  معادلات حامل در مدل RNG...............................................................................

          2-2-2 مدل سازی لزجت موثر در مدل RNG.................................................................

          2-2-3 اصلاح چرخش در مدل RNG................................................................................

          2-2-4 محاسبه اعداد پرانتل معکوس موثر در مدل RNG............................................

          2-2-5 ترم  در معادله ...............................................................................................

          2-2-6 ثابت های مدل RNG.......................................................................

     2-3 مدل هوشمند  .......................................................................

          2-3-1 معادلات حامل برای مدل هوشمند....................................................

          2-3-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل هوشمند.......................................................

          2-3-3 ثابت های مدل هوشمند......................................................................

فصل سوم: تئوری مدل MHD....................................................................

     3-1 روش القای مغناطیس.................................................................................

     3-2 روش پتانسیل الکتریکی .................................................................

فصل چهارم: حل جریان و تاثیر نیروی لورنتس..............................................................

     4-1 ساده سازی معادلات ماکسول............................................................................

     4-2 نحوه ایجاد نیروی لورنتس موازی با جریان..............................................

     4-3 شرایط مسئله و حل جریان...........................................................................

     4-4 بررسی نتایج.................................................................................................

 جمع بندی و پیشنهادات....................................................................................

مراجع...............................................................................................

فایل ورد 41 ص