تحقیق در مورد سیلیسیوم در صنعت برق

اختصاصی از فی موو تحقیق در مورد سیلیسیوم در صنعت برق دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه22

دلایل پر مصرف بودن سیلیسیوم در صنعت برق

صنعت میکروالکترونیک به عنوان یکی از تأثیر گذارترین تکنولوژی های قرن بیستم به شمار می رود. کاربرد این صنعت در  تمام سیستم ها و دستگاه های مخابراتی از رادیو و تلویزیون و گوشی های موبایل و ماهواره و شبکه های کامپیوتری گرفته تا ضبط صوت و تصویر و بسیاری از تجهیزات پزشکی و نظامی و نیز در برخی از وسائل غیر الکترونیکی به وضوح دیده می شود. علاوه بر آن، این صنعت منجر به پیشرفتهای شگرفی در صنایع دیگر مثل خودروسازی و حمل و نقل ، وسایل خانگی مثل ماشین لباسشوئی و جاروبرقی شده است. در کشور ما الکترونیک را بیشتر با محصولات و کاربردهای آن می شناسند. کمتر کسی است که فکر کند این محصولات و تجهیزات را چگونه می توان ساخت و از کجا آمده اند. به جای آنکه روی مواد سازنده و تکنولوژی های ساخت عناصر الکترونیک تمرکز شود روی نحوه ی استفاده و بکارگیری آن در وسایل مورد استفاده توجه می شود. در کشور ما هیچ یک از ادوات و قطعات الکترونیکی ساخته نمی شود و تکنولوژی های لازم جهت ساخت این اجزا وجود ندارد. همه ی قطعات لازم که در دستگاههایی که به نوعی از تجهیزات الکترونیکی استفاده می کنند از خارج وارد می شود و ما تنها مصرف کننده ی ابزار و ادوات این صنعت بوده ایم.

    حال با دانستن اهمیت این صنعت در پیشرفت تمام صنایع و تکنولوژی های کاربردی در کشور می توان 2 پرسش را مطرح کرد اول اینکه چرا با اینکه بیش از 50 سال از عمر این تکنولوژی می گذرد، کشور ما صاحب این تکنولوژی نشده است و دوم آنکه مواد اولیه ی برای ساخت قطعات الکترونیکی در تکنولوژی ساخت این قطعات چیست؟ در اینجا فقط به پرسش دوم پرداخته می شود که جوابی بسیار ساده دارد. اصولاً معمولترین ماده خام جهت ساخت قطعات الکترونیک ماسه است. از ماسه تا رسیدن به قطعات الکترونیکی 2 دسته تکنولوژی ساخت وجود دارد و فرآیندهای ساخت از درون این 2 تکنولوژی می گذرد. تکنولوژی اول مربوط به آماده و غنی کردن ماده خام اولیه جهت تولید ادواتی به نام نیمه هادی ها است. تکنولوژی دوم مربوط به تبدیل نیمه هادی به قطعات کاربردی الکترونیک موسوم به دیود، ترانزیستور و  مدارهای مجتمع (Integrated Circuits) است. در اینجا فقط روی  تکنولوژی اول  تمرکز می کنیم. در این مرحله ابتدا عنصر سیلیسیوم به عنوان عنصر سازنده با فرآیندهای شیمیایی و فیزیکی از ماسه گرفته می شود، آنگاه با سیلیسیوم غنی شده ضمن پردازش های بعدی موادی موسوم به نیمه هادی در قالب قاش های بیسکویت مانندی به نام ویفر (Wafer) تولید می شود. ویفر ماده ی جامدی است که در واقع سنگ بنای ساختمان تمام قطعات الکترونیکی می باشد. غنی سازی سیلیسیوم گرفتن ماسه و خالص سازی سیلیسوم آن تا میزان 99.9999 درصد جهت ساخت ویفر است. این کار در کارخانه ساخت نیمه هادی (Semiconductor Fabrication Plant) انجام می شود. برای اختصار اسم آن کارخانه را Fab  نامیده اند. بعضی از شرکت های ساخت نیمه هادی فقط این مرحله از ساخت قطعات میکروالکترونیک را انجام می دهند که به آنها کارخانه ریخته گری نیمه هادی خالص ساز (Pure-play Semiconductor Foundry) گفته می شود.

دانلود مقاله سیلیسیوم

اختصاصی از فی موو دانلود مقاله سیلیسیوم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مواد نیم رسانا

جریان الکتریکی در فلز از حرکت بارهای منفی (الکترونها) و در نیم رساناها از حرکت بارهای منفی (الکترونها) و بارهای مثبت (حفره ها) ناشی می شود. مواد نیم رسانا اعم از سیلیسیوم و ژرمانیوم می توانند بوسیله اتم های ناخالص چنان آلائیده شوند که جریان الکتریکی عمدتاً از الکترونها یا حفره ها شود. نیم رساناها گروهی از مواد هستند که رسانایی الکتریکی آنها بین فلزات و عایق ها قرار دارد. بلور کامل و خالص اغلب نیمه رساناها در صفر مطلق عایق است. ویژگیهای متخصه نیم رساناها این است که رسانایی آنها با تغییر دما، برانگیزش نوری و میزان ناخالص به نحو قابل ملاحظه ای تغییر می کند. این قابلیت تغییر خواص الکتریکی، مواد نیمه رسانا را انتخاب مناسبی برای تحقیق در زمینه قطعات الکترونیکی ساخته است. نیم رساناها رساناهای الکترونیکی هستند که مقاومت ویژه آنها در دمای اطاق عموماً در گستره2-10 تا 9 10 واقع است. این گستره در بین مقادیر مقاومت ویژه رساناهای خوب 6-10 و عایقها 14 10 تا 22 10 قرار دارد ]1[ و ]2[

مقاومت ویژه نیم رساناها می تواند قویاً به دما وابسته باشد، وسایلی از قبیل، ترانزیستورها، یکسوسازها، مدوله کننده ها، آشکارسازها، ترمیستورها و فوتوسلها براساس ویژگیهای نیم رساناها کار می کنند. رسانندگی یک نیم رساناها بطور کلی نسبت به دما، روشنایی، میدان مغناطیسی، مقدار دقیق ناخالصی اتم ها حساسیت دارد. مطالعه مواد نیم رسانا در اوایل قرن نوزدهم شروع شده در طول سالها نیم رساناهای فراوانی مورد مطالعه قرار گرفته اند.

جدول 1 قسمتی از جدول تناوبی مربوط به نیمه رساناها را نشان می دهد. نیم رساناهای عنصری یعنی آنهایی که از نمونه های منفرد اتم ها تشکیل می شوند، نظیر سیلیسیوم (Si) و ژرمانیوم (Ge) را می توان در ستون IV پیدا نمود. مع ذلک، نیم رساناهای مرکب بیشماری از دو یا تعداد بیشتری عنصر تشکیل می گردند. برای مثال گالیوم آرسنید (GaAs) یک ترکیب III-V است که ترکیبی از گالیوم از ستون III و آرستیک (As) از ستون V می باشد. در جدول 2 لیست بعضی از نیم رساناهای عنصری و مرکب ارائه شده است. ]1[

...

31 ص فایل Word

پوشش دهی فولاد آستنیتی ضد زنگ AISI 304 با آلومینیوم، سیلیسیوم و رسوب همزمان آلومینیوم و سیلیسیوم به روش سمانتاسیون فشرده

اختصاصی از فی موو پوشش دهی فولاد آستنیتی ضد زنگ AISI 304 با آلومینیوم، سیلیسیوم و رسوب همزمان آلومینیوم و سیلیسیوم به روش سمانتاسیون فشرده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این مقاله ی کاربردی با فرمت Pdf پوشش دهی فولاد آستنیتی ضد زنگ AISI 304 با آلومینیوم، سیلیسیوم و رسوب همزمان آلومینیوم و سیلیسیوم به روش سمانتاسیون فشرده مورد بررسی قرار گرفته است
به منظور بهبود مقاومت به اکسیداسیون و خوردگی داغ فولاد می توان عناصر آلومینیوم، سیلیسیوم و یا ترکیب دوتایی از این عناصر را به طور همزمان به کمک روش سمانتاسیون فشرده روی سطح نفوذ داد. در این تحقیق با استفاده از روش سمانتاسیون فشرده پوشش آلومینایزینگ، سیلیکونایزینگ و پوشش همزمان آلومینیوم سیلیسیوم بر روی فالاد آستنیتی ضد زنگ AISI 304 ایجاد شد.

دانلود مقاله سیلیسیوم

اختصاصی از فی موو دانلود مقاله سیلیسیوم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

1-1- مواد نیم رسانا

جریان الکتریکی در فلز از حرکت بارهای منفی (الکترونها) و در نیم رساناها از حرکت بارهای منفی (الکترونها) و بارهای مثبت (حفره ها) ناشی می شود. مواد نیم رسانا اعم از سیلیسیوم و ژرمانیوم می توانند بوسیله اتم های ناخالص چنان آلائیده شوند که جریان الکتریکی عمدتاً از الکترونها یا حفره ها شود. نیم رساناها گروهی از مواد هستند که رسانایی الکتریکی آنها بین فلزات و عایق ها قرار دارد. بلور کامل و خالص اغلب نیمه رساناها در صفر مطلق عایق است. ویژگیهای متخصه نیم رساناها این است که رسانایی آنها با تغییر دما، برانگیزش نوری و میزان ناخالص به نحو قابل ملاحظه ای تغییر می کند. این قابلیت تغییر خواص الکتریکی، مواد نیمه رسانا را انتخاب مناسبی برای تحقیق در زمینه قطعات الکترونیکی ساخته است. نیم رساناها رساناهای الکترونیکی هستند که مقاومت ویژه آنها در دمای اطاق عموماً در گستره2-10 تا 9 10 واقع است. این گستره در بین مقادیر مقاومت ویژه رساناهای خوب 6-10 و عایقها 14 10 تا 22 10 قرار دارد ]1[ و ]2[

مقاومت ویژه نیم رساناها می تواند قویاً به دما وابسته باشد، وسایلی از قبیل، ترانزیستورها، یکسوسازها، مدوله کننده ها، آشکارسازها، ترمیستورها و فوتوسلها براساس ویژگیهای نیم رساناها کار می کنند. رسانندگی یک نیم رساناها بطور کلی نسبت به دما، روشنایی، میدان مغناطیسی، مقدار دقیق ناخالصی اتم ها حساسیت دارد. مطالعه مواد نیم رسانا در اوایل قرن نوزدهم شروع شده در طول سالها نیم رساناهای فراوانی مورد مطالعه قرار گرفته اند.

جدول 1 قسمتی از جدول تناوبی مربوط به نیمه رساناها را نشان می دهد. نیم رساناهای عنصری یعنی آنهایی که از نمونه های منفرد اتم ها تشکیل می شوند، نظیر سیلیسیوم (Si) و ژرمانیوم (Ge) را می توان در ستون IV پیدا نمود. مع ذلک، نیم رساناهای مرکب بیشماری از دو یا تعداد بیشتری عنصر تشکیل می گردند. برای مثال گالیوم آرسنید (GaAs) یک ترکیب III-V است که ترکیبی از گالیوم از ستون III و آرستیک (As) از ستون V می باشد. در جدول 2 لیست بعضی از نیم رساناهای عنصری و مرکب ارائه شده است. ]1[