این فایل حاوی جزوه آموزشی تعیین مقاطع سیم ها و کابل ها بر اساس جریان و ولتاژ می باشد که به صورت فرمت PDF در 43 صفحه در اختیار شما عزیزان قرار گرفته است، در صورت تمایل می توانید این محصول را از فروشگاه خریداری و دانلود نمایید.
فهرست
تعیین مقاطع سیمها و کابلها بر اساس جریان مجاز
تعیین مقاطع سیم ها و کابلها بر اساس افت ولتاژ مجاز
تعیین مقاطع سیم های هوایی بر اساس افت ولتاژ مجاز
تصویر محیط برنامه
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه :14
بخشی از متن مقاله
پمپ هیدرولیک
با توجه به نفوذ روز افزون سیستم های هیدرولیکی در صنایع مختلف وجود پمپ هایی با توان و فشار های مختلف بیش از پیش مورد نیاز است . پمپ به عنوان قلب سیستم هیدرولیک انرژی مکانیکی را که توسط موتورهای الکتریکی، احتراق داخلی و ... تامین می گردد به انرژی هیدرولیکی تبدیل می کند. در واقع پمپ در یک سیکل هیدرولیکی یا نیوماتیکی انرژی سیال را افزایش می دهد تا در مکان مورد نیاز این انرژی افزوده به کار مطلوب تبدیل گردد.
فشار اتمسفر در اثر خلا نسبی بوجود آمده به خاطر عملکرد اجزای مکانیکی پمپ ، سیال را مجبور به حرکت به سمت مجرای ورودی آن نموده تا توسط پمپ به سایر قسمت های مدار هیدرولیک رانده شود.
حجم روغن پر فشار تحویل داده شده به مدار هیدرولیکی بستگی به ظرفیت پمپ و در نتیجه به حجم جابه جا شده سیال در هر دور و تعداد دور پمپ دارد. ظرفیت پمپ با واحد گالن در دقیقه یا لیتر بر دقیقه بیان می شود.
نکته قابل توجه در در مکش سیال ارتفاع عمودی مجاز پمپ نسبت به سطح آزاد سیال می باشد ، در مورد روغن این ارتفاع نباید بیش از 10 متر باشد زیرا بر اثر بوجود آمدن خلا نسبی اگر ارتفاع بیش از 10 متر باشد روغن جوش آمده و بجای روغن مایع ، بخار روغن وارد پمپ شده و در کار سیکل اختلال بوجود خواهد آورد . اما در مورد ارتفاع خروجی پمپ هیچ محدودیتی وجود ندارد و تنها توان پمپ است که می تواند آن رامعین کند.
پمپ ها در صنعت هیدرولیک به دو دسته کلی تقسیم می شوند :
1- پمپ ها با جا به جایی غیر مثبت ( پمپ های دینامیکی)
2- پمپ های با جابه جایی مثبت
پمپ ها با جا به جایی غیر مثبت : توانایی مقاومت در فشار های بالا را ندارند و به ندرت در صنعت هیدرولیک مورد استفاده قرار می گیرند و معمولا به عنوان انتقال اولیه سیال از نقطه ای به نقطه دیگر بکار گرفته می شوند. بطور کلی این پمپ ها برای سیستم های فشار پایین و جریان بالا که حداکثر ظرفیت فشاری آنها به 250psi تا3000si محدود می گردد مناسب است. پمپ های گریز از مرکز (سانتریفوژ) و محوری نمونه کاربردی پمپ های با جابجایی غیر مثبت می باشد.
پمپ های با جابجایی مثبت : در این پمپ ها به ازای هر دور چرخش محور مقدار معینی از سیال به سمت خروجی فرستاده می شود و توانایی غلبه بر فشار خروجی و اصطکاک را دارد . این پمپ ها مزیت های بسیاری نسبت به پمپ های با جابه جایی غیر مثبت دارند مانند مانند ابعاد کوچکتر ، بازده حجمی بالا ، انعطاف پذیری مناسب و توانایی کار در فشار های بالا ( حتی بیشتر از psi)
پمپ ها با جابه جایی مثبت از نظر ساختمان :
1- پمپ های دنده ای
2 - پمپ های پره ای
3- پمپ های پیستونی
پمپ ها با جابه جایی مثبت از نظر میزان جابه جایی :
1- پمپ ها با جا به جایی ثابت
2- پمپ های با جابه جایی متغییر
در یک پمپ با جابه جایی ثابت (Fixed Displacement) میزان سیال پمپ شده به ازای هر یک دور چرخش محور ثابت است در صورتیکه در پمپ های با جابه جایی متغیر (Variable Displacement) مقدار فوق بواسطه تغییر در ارتباط بین اجزاء پمپ قابل کم یا زیاد کردن است. به این پمپ ها ، پمپ ها ی دبی متغیر نیز می گویند.
باید بدانیم که پمپ ها ایجاد فشار نمی کنند بلکه تولید جریان می نمایند. در واقع در یک سیستم هیدرولیک فشار بیانگر میزان مقاومت در مقابل خروجی پمپ است اگر خروجی در فشار یک اتمسفر باشد به هیچ وجه فشار خروجی پمپ بیش از یک اتمسفر نخواهد شد .همچنین اگر خروجی در فشار 100 اتمسفر باشد برای به جریان افتادن سیال فشاری معادل 100 اتمسفر در سیال بوجود می آید.
پمپ های دنده ای Gear Pump
این پمپ ها به دلیل طراحی آسان ، هزینه ساخت پایین و جثه کوچک و جمع و جور در صنعت کاربرد زیادی پیدا کرده اند . ولی از معایب این پمپ ها می توان به کاهش بازده آنها در اثر فرسایش قطعات به دلیل اصطکاک و خوردگی و در نتیجه نشت روغن در قسمت های داخلی آن اشاره کرد. این افت فشار بیشتر در نواحی بین دنده ها و پوسته و بین دنده ها قابل مشاهده است.
متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.
دانلود فایل
پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده میشود، بسیار دقیقتر و مشکلتر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.
رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده میشود.
یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونهای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام میپذیرد.
ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشهای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و میتوان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد میتوان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین میشود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک (GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده میشود، رشد داده میشوند.
در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا میکند و در نتیجه در هنگام انجماد تنشهایی ایجاد میشود که بلور را از حالت ساختار شبکهای کامل خارج میسازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.
یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده میشود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را میدهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده میشود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن میشود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده میشود.
استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام میپذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه میشود. این فرایند پالایش ناحیهای نامیده میشود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص میکند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف میشود.
ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصیها به انتهای شمش کشیده میشود که میتوان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی میماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیهای را کنترل میکند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.
فهرست مطالب:
لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها
چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟
فناوری های CMOS
مراحل مختلف روش چوکرالسکی
فتولیتوگرافی
تکنیک های فتولیتوگرافی
تکنولوژی های اصلی CMOS
دی اکسید سیلیکون(SIO2)
نشاندن لایه اتمی(ALD)
جداسازی اجزا
جداسازی با گودال کم عمق (STI)
ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم
ایجاد اتصالات و لایه های فلز
روش های حذف قسمت های اضافی
مقاوم سازی
مترولوژی
قوانین طراحی چینش
قوانین ترانزیستور
قوانین اتصالات
قوانین فلز
خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها
پیشرفت های فرایند CMOS
تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)
قفل شدگی
خازن های نفوذ با SUBSTRATE
Soft Errors
قابلیت تحرک بالاتر
ترانزیستورهای پلاستیکی
فرایند مس دمشقی
دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین
ساختارهای فوتونی مجتمع شده
مدارهای مجتمع سه بعدی
قوانین آنتن
قوانین مربوط به شیارهای فلزی
و...
یک کیس بسیار عالی برای کارورزی در ۱۱ صفحه نوشته شده است
