حل المسائل کتاب طراحی مدارهای مجتمع خطی CMOS آنالوگ بهزاد رضوی به صورت PDF در 329 صفحه به زبان انگلیسی

اختصاصی از فی موو حل المسائل کتاب طراحی مدارهای مجتمع خطی CMOS آنالوگ بهزاد رضوی به صورت PDF در 329 صفحه به زبان انگلیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تراشه، مدار یکپارچه، مدار مجتمع یا آی‌سی (به انگلیسی: Integrated circuit یا Chip) به مجموعه‌ای از مدارات الکترونیکی اطلاق می‌گردد که با استفاده از مواد نیمه‌رسانا (عموماً سیلیسیم همراه با میزان کنترل شده‌ای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی متر مربع) ساخته می‌شود. اگر هزاران ترانزیستور در یک ریز تراشه ساخته شود؛ به آن مدارات مجتمع خیلی فشرده (به انگلیسی: Very-large-scale integration ) می گویند. مدارات الکتریکی عموما شامل المان مداری: مقاومت، خازن،سلف و ترانزیستور می باشد. با توجه به اینکه فرآیند ساخت ترانزیستور در تکنولوژی های مدارات مجتمع راحت تر از المان های پسیو دیگر است، طراحان ترجیح می دهند این المان های پسیو را توسط ترانزیستورها پیاده سازی کنند و تا حد ممکن تمامی المان های مدارات الکترونیکی را به ترانزیستور تبدیل نمایند، سپس با تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع آن ها را پیاده سازی کنند. هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور می‌باشد که با استفاده از فناوری پیچیده‌ای در داخل لایه ای از ماده نیمه هادی؛ مانند سیلیکن همگون با پروسه های ساخت مدارات مجتمع ساخته می شوند. امروزه تراشه‌ها در اکثر دستگاه‌های الکترونیکی و به ویژهرایانه‌ها در ابعادی گسترده بکار می‌روند. وجود تراشه‌ها مرهون کشفیات بشر درباره نیمه رساناها و پیشرفتهای سریع پیرامون آنها در میانه‌های سده بیستم می‌باشد. مهم ترین المان مداری که در تکنولوژی های مدار مجتمع ساخته می شود، ماسفت (به انگلیسی:(MOSFET)Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) می باشد. شرکت اینتل به عنوان مهمترین سازنده مدارات مجتمع در جهان شناخته شده است.

فهرست مطالب:

فصل2)    فیزیک مقدماتی افزار ماس
فصل3)    تقویت کننده های یک طبقه
فصل4)    تقویت کننده های تفاضلی
فصل 5)   ایینه جریان فعال و غیرفعال
فصل6)    پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها
فصل7)    نویز
فصل8)    فیدبک
فصل9)    تقویت کننده های عملیاتی
فصل10)  پایداری و جبران سازی فرکانسی                                   
فصل11)  مرجع ولتاژ و جریان
فصل12)  مقدمه ای بر مدارهای کلیدی خازنی
فصل 13) اثر غیرخطی و ناهمسانی
فصل14)  نوسان سازها
فصل15)  حلقه های قفل باز
فصل 16) اثرات کانال کوتاه و مدلهای MOS

این فایل شامل جواب تمرینات فصل های بالا می باشد و می تواند به عنوان راهنمایی مناسب برای دانشجویان کارشناسی و کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک استفاده شود.

جزوه کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه امیرکبیر دکتر یاوری

اختصاصی از فی موو جزوه کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه امیرکبیر دکتر یاوری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جزوه عالی، جامع، دست نویس و خوشخط از کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه امیرکبیر دکتر یاوری که شامل مثال های فراوان و حل تمامی آن ها می‎باشد.

متن این جزوه رنگی و با جزییات و دقت فراوان نوشته شده است.

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید

اختصاصی از فی موو پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در 52 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دیدکلی

پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است.

تاریخچه

رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه 1950 انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود.

رشد از مذاب

یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد.

یک مثال

ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می‌توان آن را طوری از کوره بیرون آورد که انجماد از یک انتها شروع شده به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه بلوری کوچک در نقطه شروع انجماد می‌توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. شکل بلور بدست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می‌شود. ژرمانیوم ، گالیم آرسنیک (GaAs) و دیگر بلورهای نیم رسانا اغلب با این روش که معمولا روش بریجمن (Bridgmann) افقی نامیده می‌شود، رشد داده می‌شوند.

معایب رشد بلور در ظرف ذوب

در این روش ماده مذاب با دیوارهای ظرف تماس پیدا می‌کند و در نتیجه در هنگام انجماد تنش‌هایی ایجاد می‌شود که بلور را از حالت ساختار شبکه‌ای کامل خارج می‌سازد. این نکته بویژه در مورد Si که دارای نقطه ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد مذاب را دارد، مشکل جدی است.

روش جایگزین

یک روش جایگزین ، کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه بلوری در داخل ماده مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می‌شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می‌دهد. معمولا در هنگام رشد ، بلور به آهستگی چرخانده می‌شود تا علاوه بر هم زدن ملایم مذاب از هر گونه تغییرات دما که منجر به انجماد غیر همگن می‌شود، متوسط گیری کند. این روش ، روش چوکرالسکی (Czochoralski) نامیده می‌شود.

پالایش ناحیه‌ای و رشد ناحیه شناور

استفاده از ناحیه مذاب متحرک به خصوص وقتی که رفت و برگشتهای متعددی در راستای شمش انجام می‌پذیرد، موجب خلوص قابل توجهی در ماده اولیه می‌شود. این فرایند پالایش ناحیه‌ای نامیده می‌شود. تکنیکهای متداول برای ذوب شمش عبارتند از : تابش گرما از یک گرماده مقاومتی ، گرمایش القایی و گرمایش بوسیله بمباران الکترونی در فصل مشترک مایع و جامد که در حال انجماد است. توزیع خاصی از ناخالصیها بین دو فاز وجود خواهد داشت، کمیت مهمی که این ویژگی را مشخص می‌کند، ضریب توزیع Distribution Coefficientt است که به صورت نسبت تراکم ناخالصی در جامد به تراکم آن در مایع در حالت تعادل تعریف می‌شود.

ضریب توزیع تابعی از ماده ، ناخالصی دمای مرز مشترک بین جامد و مایع و سرعت رشد است. اگر مرورهای متعددی صورت گیرد، طول بیشتری از شمش خالص شده و پس از مرورهای متعدد اکثر ناخالصی‌ها به انتهای شمش کشیده می‌شود که می‌توان آن را برید و جدا کرد و در نتیجه یک بلور با خلوص خیلی زیاد باقی می‌ماند. ضریب توزیع که روند بالایش ناحیه‌ای را کنترل می‌کند، در هر گونه رشد از مذاب نیز اهمیت دارد.

فهرست مطالب:

لزوم یادگیری چگونه ساخته شدن ترانزیستورها

چرا نیمه هادی ها مورد علاقه هستند؟

فناوری های CMOS

مراحل مختلف روش چوکرالسکی

فتولیتوگرافی

تکنیک های فتولیتوگرافی

تکنولوژی های اصلی CMOS

دی اکسید سیلیکون(SIO2)

نشاندن لایه اتمی(ALD)

جداسازی اجزا

جداسازی با گودال کم عمق (STI)

ایجاد نواحی سورس و درین و گیت خود تنظیم

ایجاد اتصالات و لایه های فلز

روش های حذف قسمت های اضافی

مقاوم سازی

مترولوژی

قوانین طراحی چینش

قوانین ترانزیستور

قوانین اتصالات

قوانین فلز

خط پیرامونی برش و دیگر ساختارها

پیشرفت های فرایند CMOS

تکنولوژی سیلیکون روی عایق (SOI)

قفل شدگی

خازن های نفوذ با SUBSTRATE

Soft Errors

قابلیت تحرک بالاتر

ترانزیستورهای پلاستیکی

فرایند مس دمشقی

دی الکتریک با ثابت دی الکتریک پایین

ساختارهای فوتونی مجتمع شده

مدارهای مجتمع سه بعدی

قوانین آنتن

قوانین مربوط به شیارهای فلزی

 و...

CMOS IC Design for Wireless Medical and Health Care, Springer, 2014

اختصاصی از فی موو CMOS IC Design for Wireless Medical and Health Care, Springer, 2014 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

195 صفحه

CMOS IC Design for Wireless Medical and Health Care, Springer, 2014

سرفصلها:

1 Introduction ............................................................................................... 1
1.1 Emerging Wireless Medical and Health Care Applications .............. 1
1.2 Technology Trends ............................................................................. 3
1.3 What to Expect in This Book ............................................................. 8
References ................................................................................................... 9
2 System Architecture and Design Considerations ................................... 11
2.1 Wireless Capsule Endoscope ............................................................. 11
2.2 Wireless Ligament Balance Measuring System
in Total Knee Arthroplasty ................................................................ 13
2.3 General System Architecture ............................................................. 16
2.4 Design Considerations for PBS and SID ........................................... 18
2.5 Choices of PBS and WBAN Transceivers ......................................... 19
References ................................................................................................... 21
3 Biomedical Signal Acquisition Circuits .................................................. 25
3.1 Biomedical Sensors ............................................................................ 25
3.2 Sensor Interface Circuits .................................................................... 28
3.2.1 Interface Circuit to Capacitive Sensors .................................. 28
3.2.2 Instrument Amplifi er for Voltage Sensor Interface ................ 31
3.3 Digitization Circuit ............................................................................ 45
3.3.1 Design Considerations ........................................................... 45
3.3.2 A Cyclic Analog-to-Digital Conversion Circuit .................... 46
3.3.3 Voltage–Pulse Conversion ..................................................... 55
3.4 A Capacitive Sensor Readout Circuit ................................................ 66
References ................................................................................................... 70
4 WBAN Transceiver Design ....................................................................... 73
4.1 Narrow Band Short Range Wireless Transceivers ............................. 73
4.1.1 Frequency Bands for WBAN Transceivers ............................ 73
4.1.2 Link Budget for Through-Body Communication .................. 75
4.2 A 2.4 GHz SID Transmitter ............................................................... 77
4.2.1 Transmitter Architecture ........................................................ 78
4.2.2 Building Blocks ..................................................................... 79
4.2.3 Measurement Results ............................................................. 82
4.3 A 400 MHz 3 Mbps SID Transceiver ................................................ 84
4.3.1 Transceiver Architecture ........................................................ 84
4.3.2 ULP Circuit Design Techniques ............................................ 86
4.3.3 Measurement Results ............................................................. 88
4.4 A Multiband Multimode PBS Transceiver......................................... 90
4.4.1 Reconfi gurable Architecture .................................................. 90
4.4.2 Circuits Design ...................................................................... 94
4.4.3 Implementation Results ......................................................... 101
4.5 DCOC Circuits for Low Power Receiver ........................................... 108
4.5.1 Offset Models and Calibration Method ................................. 109
4.5.2 DCOC Architecture and Circuit Design ................................ 114
4.5.3 Measurement Results ............................................................. 115
References ................................................................................................... 119
5 Other Important Circuits ......................................................................... 121
5.1 Power Management............................................................................ 121
5.1.1 Integrated Power Management Circuit .................................. 121
5.1.2 Wireless Power Switch .......................................................... 127
5.1.3 Power Harvesting from PZTs ................................................ 135
5.2 Low Power Digital Controller for SIDs ............................................. 144
5.2.1 SID Controller Design ........................................................... 145
5.2.2 Subthreshold MCU ................................................................ 151
5.2.3 Accelerator Design Example: A JPEG-LS Compressor ........ 155
References ................................................................................................... 161
6 SoC Design and Application Systems ...................................................... 163
6.1 Wireless Capsule Endoscope SoC and Application System .............. 163
6.1.1 Wireless Capsule Endoscope SoC ......................................... 163
6.1.2 Wireless Capsule Endoscope System .................................... 173
6.2 SoC for Wireless Ligament Balance Measuring
in TKA and the Application System .................................................. 176
6.2.1 SoC for Wireless Ligament Balance Measuring in TKA ...... 176
6.2.2 Wireless Ligament Balance Measuring System in TKA ....... 180
6.2.3 Lab Experimental Results and Clinic Experiments ............... 181

تحقیق درموردنگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از فی موو تحقیق درموردنگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه20

فهرست مطالب

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

استیون میلونویچ یک تحلیلگر در بانک مریل لینچ دلیل دیگرى درباره اهمیت یافتن سادگى ارائه مى دهد. او استدلال مى کند که صنعت تکنولوژى اطلاعاتى با موج هاى ۱۵ ساله پیشرفت مى کند. در اولین موج در طول دهه ۱۹۷۰ و اوایل دهه ۱۹۸۰ شرکت ها کامپیوترهاى بزرگ و پیچیده را نصب مى کردند، در موج دوم آنها تمرکزشان را بر کامپیوترهاى شخصى قرار دادند که با کامپیوترهاى «سرور» (server) ارتباط برقرار مى کرد و در موج سوم اکنون در حال رخ دادن است. آنها شروع به وصل کردن هر ابزارى که مشتریان ممکن است استفاده کنند از کامپیوترهاى دستى گرفته تا تلفن هاى موبایل به اینترنت هستند.