تحقیق درمورد باب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شود

اختصاصی از فی موو تحقیق درمورد باب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 8

حباب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شوند نه تنها بطور غیر خطی نوسان می کنند بلکه ممکن است نور راین منتقل و ارسال کنند. این پدیده Sonolumines gence (SL ) نامیده شد و بوسیله « Marinesco » و « Trillat » در سال 1943 کشف شد.

پس از آن این پدیده هم به طور تئوری و هم به طور عملی توسط مولفان زیادی به خوبی مرود بررسی قرار گرفت  علاقه به پدیده SL باعث شد که این پدیده توسط « Gaitan » به دقت مورد آزمایش قرار گیرد بله Sl را از یک حباب در آب به وسیله یک میدان قوی صوتی نوسانی بررسی کرد. این پدیده
«Signal bubble sonoluminesence » ( SBSL ) نامیده شد. که در زیر به بررسی آن می پردازیم .

یکی از مهمترین نتایجی که از آزمایشات بر روی پدیده Sbsl حاصل شد این بود که حباب ها می توانند چندین روز به طور پایدار نوسان کنند بدون اینکه تجزیه شوند یا اندازة آنها تغییر کند. بررسی دقیق مکانیزم فیزیکی نشان داد که عوامل زادی وجود دارند که موجب رخ دادن چنین پدیده أی می شوند . این عوامل عبارتند از :

ریزش و تقطیر ، کشش ، گازهای نامحلول ، هدایت گرمای تشعشعات صوتی ، درجات ، بخارها و گازهای کوچک در حد میکرون . ( که ممکن است توسط موجهای سطحی در حباب ایجاد شود ) نوسانات غیر خطی حباب و جدا بودن و یا آمیخته شدن حباب ها با یکدیگر . بررسی عملی و تئوری نتایج نشان داد که عوامل اصلی و مهم برای انتقال یک حباب پایدار عبارتند از :

ریزش و تقطیر ، کشش سطحی و شکل نوسانات.

مکانیزم چگونگی نفوذ گاز منجر می شود که اندازة حباب پایدار نباشد و از بین برود . به این دلیل است که آنالیز پایداری و استقامت باید چند برابر باشد. پایداری شکل نوسانات بررسی شده در جایی نشان داد که گرایش حباب های بزرگ به تجزیه شدن ، ناشی از بی ثباتی سطح نوسانات . در این مبحث تأثیر تقطیر و ریزش و کشش سطحی را در توانایی ایجاد میدان صوتی توسط حباب های کوچک بررسی می کنیم .

بدون میدان صوتی خارجی ، حباب ها در هراندازه أی ناتوان اند زیر فشار درون حباب بیش ات از فشار در مایع و بنابراین حباب ها به آرامی حل می شوند که این عمل ناشی از یک تار پیوسته جرمی از حباب به داخل مایع است . بر بیش از یک میدان صوتی حباب ها شروع به نوسان می کنند. در طول دورة انبساط نفوذ گاز از مایع به داخل حباب و در طول دورة انقباظی عکس این عمل اتفاق می افتد . که این یک شبکه جریان در گاز درون حباب ات را اسطقه أی از دیوار حباب بزرگتر خواهد شد در طول دورة انبساط و بنابراین مقدار زیادی گاز واردخواهد شد در مقایسه با زمانی که در مرحله انقباض خارج می شود. این پدیده « زیر کش و تقطیر » نام دارد و منجر به بزرگتر شدن حباب می شود. برای دانه های کوچک مشخص شده که رشد حباب به میزان دامنه میدان صوتی
 Pa ، شعاع تشدید R و شعاع تعادل R حباب بستگی دارد. این نسبت رشد به مقدار زیادی مرتبط ات با واکنش منحنی أی که وابستگی شعاع از حباب های بزرگ به روی شعاع تعادل را نشان می دهد . این تئوری توجیهی خوب برای رشد و حل شدن حباب های بزرگ و فشار کم دامنه ها است . هرچند توضیحی برای پاسخ به این سوال در مورد S L وجود ندارد : چرا حباب های گاز کوچک در یک مایع در حضور یک میدان صوتی قوی پدیدار
می شوند ؟

برای نوسانات یک حباب تنها تت یک دامنه فشار متوسط یا زیاد ، یک نارید ( داستان ) عجیب و پیچیده وجود دارد. آمارگیری مشابه نشان داد که هر چند که برای حباب های خیلی کوچک در میدان های صوتی خیلی قوی حرکت ها منظم تر اند و یک نوع جدید از تشدید قوی باید آستانه کاهش از دامنه نوسان اتفاق می افتد . دلیل فیزیک برای این پدیده در واقع این ات که برای حباب های خیلی کوچک فشار کشش سطحی  خیلی زیاد ات. و حباب های فشاری همچون ذرات جامد قابل انعطاف حتی برای فشارهای متحرک بزرگ دارند که در FiG 1 نشان داده شده است .

1(b) : شعاع معمولی جباب را نشان می دهد .

1(a) : فشار متحرک را از میدان صوتی خارجی نشان می دهد.

Pa (t) = - Pa sin (wt)

مقعی که ما اندازه حباب ها را کاهش دادیم و آن شروع به نوسانات متفاوتی کرد در طول دورة انبساط تأثیر کشش سطحی به سرعت کاهش پیدا کرد و بنابراین دامنة انبساط به طور هنگفتی زیاد شده که منجر به از هم پاشیدگی قوه ی ای شد. نقطه جدایی ممکن است نقطه غیر الیافتی پاره فروپاشی نامیده شود. انواع نوسانات موود در پشت این فروپاشی در شکل نشان داده شده است. نتایجی که از FIG (1)بلات آمده و تمام فرمولهای محاسبه شده توسط مدل «Keller – Mikeis » عبارتند از :

برای حباب هوا در آب 20 درجه سانتیگراد با Po=1bar,6=0.0725nm. k=1.4 و Ce=1500 mis و بامد(فرکانس) چرخشی w=2  20khz . نتایجی با کیفیت مشابه برای مدل «Gilmore» مبلات آمد.

موقعیکه شعاع تعادل حباب کوچکتر شد اثر فشار سطح برشی p6 کمتر می شود و یک غیر یکنواخت منحنی تشدید برای شعاع معمولی Rm/R0 اتفاق می افتد. این واکنش ها در Fig 2 (a)  نشان داده شده اند.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

بررسی مشکلات بوجود آمده در حفاری با TBM و راهکارهای مقابله با آن

اختصاصی از فی موو بررسی مشکلات بوجود آمده در حفاری با TBM و راهکارهای مقابله با آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

خلاصه مطالب

   مقدمه  

 TBM    باز در مصالح ریزشی

    عمده ترین مسائل ناشی از ریزش برای حفاری با TBM

    محل های ریزش

    روشهای پایدار سازی سینه کار

    حفاری باTBM در زمین های مچاله شونده

    مزایا و معایب تونلزنی با TBM در زمین های مچاله شونده

    مطالعه موردی

تحقیق در مورد نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

اختصاصی از فی موو تحقیق در مورد نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه9

نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

ماده اولیه:
امروزه همه می دانند که ماده اولیه پردازنده ها همچون دیگر مدارات مجتمع الکترونیکی، سیلیکون است.در واقع سیلیکون همان ماده سازنده شیشه است که از شن استخراج می شود. البته عناصر بسیار دیگری هد در این فرایند به کار برده می شوند و لیکن از نظر درصد وزنی، سهم مجموع این عناصر نسبت به سیلیکون به کار رفته در محصول نهایی بسیار جزئی است.
آلمینیوم یکی از موارد دیگری است که در فرایند تولید پردازنده های مدرن، مس به تدریج جایگزین آلمینیوم می شود. علاوه بر آنکه فلز مس دارای ضریب هدایت الکتریکی بیشتری نسبت به آلمینیوم است،دلیل مهم تری هم برای استفاده از مس در طراحی پردازنده های مدرن امروزی وجود دارد. یکی از بزرگ ترین مسائلی که در طراحی پردازنده ها ی امروزی مطرح است، موضوع نیاز به ساختارهای فیزیکی ظریف تر است. به یاد دارید که اندازه ها در پردازنده های امروزی در حد چند ده نانو متر هستند. پس از آنجایی که با استفاده از فلز مس، می توان اتصالات ظریف تری ایجاد کرد، این فلز جایگزین آلومینوم شده است.

آماده سازی:
فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی از یک جهت با بسیاری از فرایندهای تولید دیگر متفاوت است. در فرایندهای تولید قطعات الکترونیک، درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در حد بسیار بالایی اهمیت بسیار زیادی دارند.
اهمیت این موضوع در حدی است که از اصطلاح electronic grade برای اشاره به درجه خلوص بسیار بالایی مواد استفاده می شود.
به همین دلیل مرحله مهمی به نام آماده سازی در تمامی فرایندهای تولید قطعات الکترونیک وجود دارد. در این مرحله درجه خلوص موارد اولیه به روش های گوناگون و در مراحل متعدد افزایش داده می شود تا در نهایت به مقدار خلوص مورد نظر برسد. درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در این صنعت به اندازه ای بالاست که توسط واحدهایی مانند ppm به معنی چند اتم نا خالصی در یک میلیون اتم ماده اولیه،بیان می شوند.
آخرین مرحله خالص سازی ماده سیلیکون،به این صورت انجام می شود که یک بلور خالص سیلیکون درون ظرف سیلیکون مذاب خالص شده قرار داده می شود، تا بلور باز هم خالص تری در این ظرف رشد کند ( همان طور که بلورهای نبات در درون محلول اشباع شده به دور یک ریسمان نازک رشد می کنند ) . در واقع به این ترتیب، ماده سیلیکون مورد نیاز به صورت یک شمش تک کریستالی تهیه می شود ( یعنی تمام یک شمش بیست سانتی متری سیلیکون، یک بلور پیوسته و بدون نقض باید باشد!). این روش در صنعت تولید چیپ به روش cz معروف است. تهیه چنین شمس تک بلوری سیلیکون آن قدر اهمیت دارد که یکی از تحقیقات اخیر اینتل و دیگر شرکت های تولید کننده پردازنده، معطوف تولید شمش های سی سانتی متری سیلیکون تک بلوری بوده است. در حالی که خط تولید شمش های بیست سانتی متری سیلیکون هزینه ای معادل 5/1 میلیارد دلار در بر دارد، شرکت های تولید کننده پردازنده ، برای بدست آوردن خط تولید شمش های تک بلوری سیلیکون سی سانتی متری، 5/3 میلیارد دلار هزینه می کنند. موضوع جالب توجه در این مورد ان است که تغییر اندازه شمش های تک بلوری ، تاکنون سریع تر از یک بار در هر ده سال نبوده است. پس از آنکه یک بلور سیلیکونی غول آسا به شکل یک استوانه تهیه گشت، گام بعدی ورقه ورقه بریدن این بلور است. هر ورقه نازک از این سیلیکون، یک ویفر نامیده می شود که اساس ساختار پردازنده ها را تشکیل می دهد. در واقع تمام مدارات یا ترانزیستورهای لازم،بر روی این ویفر تولید می شوند. هر چه این ورقه ها نازک تر باشند،عمل برش بدون آسیب دیدن ویفر مشل تر خواهد شد. از طرف دیگر این موضوع به معنی افزایش تعداد چیپ هایی است که میتوان با یک شمش سیلیکونی تهیه کرد. در هر صورت پس از آنکه ویفرهای سیلیکونی بریده شدند.نوبت به صیقل کاری آنها می رسد. ویفرها آنقدر صیقل داده می شوند که سطوح آنها آیینه ای شود. کوچکترین نقص در این ویفرها موجب عدم کارکرد محصول نهایی خواهد بود. به همین دلیل،یکی دیگر از مراحل بسیار دقیق بازرسی محصول در این مرحله صورت می گیرد. در این گام،علاوه بر نقص های بلوری که ممکن است در فرایند تولید شمش سیلیکون ایجاد شده باشند، نقص های حاصل از فرایند برش کریستال نیز به دقت مورد کنکاش قرار می گیرند.
پس از این مرحله،نوبت به ساخت ترانزیستورها بر روی ویفر سیلیکونی می رسد.
برای این کار لازم است که مقدار بسیار دقیق و مشخصی از ماده دیگری به درون بلور سیلیکون تزریق شود. بدین معنی که بین هر مجموعه اتم سیلیکون در ساختار بلوری دقیقا” یک اتم از ماده دیگر قرار گیرد. در واقع در این مرحله نخستین گام فرایند تولید ماده نیمه هادی محسوب می شود که اساس ساختمان قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور را تشکیل می دهد. ترانزیستورهایی که در پردازنده های امروزی به کار گرفته می شوند،توسط تکنولوژی CMOS تولید می شوند.CMOS مخخف عبارتComplementary Metal Oxide Semiconductor است . در اینجا منظور از واژه Complementary آن است که در این تکنولوژی از تعامل نیمه هادی های نوع n و p استفاده می شود.
بدون آنکه بخواهیم وارد جزئیات فنی چگونه تولید ترانزیستور بر روی ویفرهای سیلیکونی بشویم،تنها اشاره می کنیم که در این مرحله، بر اثر تزریق مواد گوناگون و همچنین ایجاد پوشش های فلزی فوق نازک ( در حد ضخامت چند اتم ) در مراحل متعدد، یک ساختار چند لایه ای و ساندویچی بر روی ویفر سیلیکونی اولیه شکل می گیرد. در طول این فرایند ، ویفر ساندویچی سیلیکونی در کوره ای قرار داده می شود تا تحت شرایط کنترل شده و بسیار دقیق ( حتی در اتمسفر مشخص) پخته می شود و لایه ای از sio2 بر روی ویفر ساندویچی تشکیل شود. در جدید ترین فناوری اینتل به تکنولوژی 90 نانو متری معروف است، ضخامت لایه sio2 فقط 5 اتم است! این لایه در مراحل بعدی دروازه یا Gate هر ترانزیستور واقع در چیپ پردازنده خواهد بود که جریان الکتریکی عبوری را در کنترل خود دارد ( ترانزیستورهای تشکیل دهنده تکنولوژی CMOS از نوع ترازیستورهای اثر میدانی field Efect Transistor:FET نامیده می شوند. جریان الکتریکی از اتصالی بنام Source به اتصال دیگری به نام Drain جریان می یابد. وظیفه اتصال سوم به نام Gate در این ترانزیستور، کنترل و مدیریت بر مقدار و چگونگی عبور جریان الکتریکی از یک اتصال به اتصال دیگر است ).
اخرین مرحله آماده سازی ویفر، قرار دادن پوشش ظریف دیگری بر روی ساندویچ سیلیکونی است که photo-resist نام دارد. ویژگی این لایه آخر همان طور که از نام آن مشخص

بوجود امدن ترافیک

اختصاصی از فی موو بوجود امدن ترافیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:20

تشخیص داخلی برپایه مدل مرجع کلی

انبار لوازم بی سیم اندازه های عملکردی سیستم

طرح شبکه  supercell

واحد ROOFTOP

بوجود

آمدن(شکل          ) ترافیک

ترافیک از هر CPE می تواند بوجود آید. البته از طریق الگوریتمهایی که در جریان هستند و این باعث می‌شود کراپراتور برای قانونمندی خدمات برپایه CPE در ترافیک،نیازهای مشتری و غیره اقدام نماید. میزان Peak در ترافیک برپایه یک روش پیوسته اندازه گیری می شود و در هر CPE روش آن مشخص می گردد. اگر میزان تقاضای CPE از نرخ اختصاص داده به آن بیشتر شود عرضه به تأخیر می افتد بنابراین کنترل مؤثر انتقال داده از CPE صورت می گیرد خدمات مختلف بدین منظور پیشنهاد می گردند اپراتور می تواند داده های مختلف را برای روشهای مختلف آماده کند و بر آن اساس جریان را راه‌اندازی می کند. مشترکین مربوطه به Peak بالاتری احتیاج دارند تا بتوانند بصورت پویا و آماری فرم‌دهی نمایند.

تشخیص داخلی برپایه مدل مرجع کلی

ما از این مدل در تصویر 15-20 استفاده خواهیم نمود در این تصویر نقاط مرجع 1 تا 8 I-V I I  I اشاره دارد به تشخیص ویژه و یا عملکردهای ویژه ما هر یک از روشها را در زیر توصیف کرده ایم.

• روش اول: ارتباط مشترک بی سیم.
• روش دوم: واحد داخلی PHY/MAC
• روش سوم: استفاده از رابط رادیویی I F/RF – این رابط یک کابل فیزیکی باردار است که IF را حمل می کند همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و جریان مستقیم برای ODU را نیز حمل می کند.
• روش چهارم: رابط هوایی RF- این رابط بربالای آنتن RF قرار گرفته است و یک باند فرکانس MMDC دارد (GH2 2690-2500 و GH22162 –2150 ) انرژی منشعب شده از آنتن براساس قوانین و اصول FCC قانونبندی می شود (بخش 21).

توضیحات بالا در مورد رابط های 1 تا 3 سیستمهای CISCO می باشد که با روش خاصی محصول می‌دهند این محصولات بر پایه ایستگاه شبکه داخلی توصیف شده است و از طریق مقایسه چهارم قابل توصیف است اما رابط ها ترکیبات و خدمات CPE جدید و مختلفی دارند.

• روش پنجم: بر پایه ایستگاهRF/I F است این رابط برپایه ایستگاه یک کابل فیزیکی است که فرکانس متوسط (I F) را به جریانئ می اندازد همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و نیروی جریان مستقیم برای واحد بیرونی (ODU) را نیز تحت کنترل دارد (به جریان می اندازد).
• روش ششم: برپایه ایستگاه داخلی PHY/MAC است این رابطی برای CISCO داخلی است.
• روش هفتم: رابط اتصالی شبکه

انبار لوازم بی سیم

دسترسی به تجهیزات بی سیم برپایه سیستمی است که تعدادی از سیستم های مشترک را در بر می‌گیرد البته این نوعی طراحی نقطه به نقطه است که در آن باند کامل جریان به سمت بالا و پائین در میان تمام مشترکین توزیع می شود. تکمیل این انبار لوازم برای ایجاد تمام این کار برپایه استانداردهای DOCSIS  است که توسط کابل ائتلافی labs توسعه یافته است.

دریافت کننده های پایه

توضیحات مربوط به محیط LMDS

مقایسه استانداردهای WLAN

فهرست بندی

پروژه : انواع خطاهای بوجود آمده در ترانسفورماتورهای فوق توزیع و روشهای پیشگیری

اختصاصی از فی موو پروژه : انواع خطاهای بوجود آمده در ترانسفورماتورهای فوق توزیع و روشهای پیشگیری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان پروژه :  انواع خطاهای بوجود آمده در ترانسفورماتورهای فوق توزیع و روشهای پیشگیری

 قالب بندی :  word

شرح مختصر :  گزارش حاضر، گزارش نهایی پروژه “بررسی علل سوختن ترانسفورماتورهای 66 کیلوولت برق فارس” می‎باشد که در آن به بررسی علل اصلی ایجاد خطا در ترانسفورماتور و منشاء ظهور آنها و روشهای پیشگیری پرداخته می‏شود. در روال انجام پروژه مدل‎سازیهای مربوط به حالت دائمی و گذرای ترانسفورماتور و سایر اجزای پست شامل CT، PT، برقگیر، کلید و سیستم زمین مورد بررسی دقیق قرار گرفته و بهترین مدلها ارائه شده است. در ادامه بر روی دو پست نمونه تل‎بیضاء و نورآباد شبیه‎سازی حالت گذرا انجام شده و با تغییر مقاومت زمین و مقدار انرژی صاعقه مربوط به آنها بر روی ترانسفورماتورهای مذکور مورد بررسی قرار گرفته و نتایج آن در گزارش “شبیه‎سازی و بررسی اجزای اصلی پست” ارائه گردیده است. در گزارش حاضر دلایل اصلی ایجاد خطا که منشاء آنها داخلی یا خارجی می‎تواند باشد بررسی شده است. از طرف دیگر با توجه به اطلاعات مربوط به خطاهای ترانسفورماتورهای KV66، دلایل اصلی ایجاد خطاها استخراج و روشهای پیشگیرانه توضیح داده شده است (در فصل ششم گزارش حاضر) که از این میان می‎توان به روشهای پیشگیرانه اصلی مونیتورینگ هیدروژن و آشکارسازی تخلیه جزئی اشاره نمود.

فهرست :  

پیشگفتار

مقدمه

 خطاهای داخلی ترانسفورماتور

 اشکالات در مدارت مغناطیسی ترانسفورماتور

اثر جریان های گردابی ناخواسته

وجود ذرات کوچک هادی

عدم متعادل شدن نقطه خنثی ترانسفورماتور

اثر هارمونیک ها در افزایش تلفات ترانسفورماتور

 اشکالات بوجود آمده در سیم پیچ ها شامل کویل ها، عایق کاری های سیم پیچ ها و ترمینالها

اتصال کوتاه در سیم پیچ ها ناشی از محکم نبودن آنها

عدم خشک کردن کامل ترانسفورماتور

اتصالات بد بین سیم پیچ ها

نیروهای الکترودینامیکی ناشی از اتصال کوتاه

 اشکالات در عایقهای ترانسفورماتور شامل روغن، کاغذ و عایقکاری کلی

 اشکالات ناشی از ضعف عایقی کاغذ و عایقکاری کلی ترانسفورماتور

 اشکالات ساختاری

 مقدمه

خطاهای الکتریکی خارج ترانسفورماتور

صاعقه (Lightning)

استفاده از عایق غیرهمگن

 اضافه ولتاژهای ناشی از قطع و وصل (کلیدزنی)

 اضافه ولتاژهای ناشی از رزونانس

 فرورزونانس در خطوط انتقال انرژی ولتاژ بالا

 اضافه ولتاژهای موقت

 جریان هجومی در ترانسفورماتورها

 اتصال نادرست ترانسفورماتور و تپ چنجر

 خطاهای ناشی از اضافه بار

 خطاهای مکانیکی

 اتصالات سخت لولهشمش در پستها

 در نظر نگرفتن اثرات زلزله، سیل و طوفان بر روی فونداسیون‎ها و تجهیزات پست

 حمل و نقل غیر صحیح ترانسفورماتورها

 نبود حفاظتهای جلوگیری کننده از ورود حیوانات

 خطاهای شیمیایی

 زنگ‎زدگی بدنه ترانسفورماتور

 فرسودگی بیش از حد ترانسفورماتور به علت عدم سرویس به موقع

 مقدمه

 مشخصات مورد انتظار روغن ترانسفورماتور

 نقش کاغذ در ترانسفورماتور

 تاثیر رطوبت در خواص عایقی کاغذ

 اثر رطوبت در روغن ترانسفورماتور

 راههای ورود رطوبت به ترانسفورماتور و جلوگیری از آن

 تاثیرات مخرب تضعیف مواد عایقی ترانسفورماتور

 برنامه آزمایشهای روغن ترانسفورماتور

 آزمایش روغن قبل از پرکردن ترانسفورماتور با آن

 آزمایش روغن بعد از پر کردن ترانسفورماتور

 آزمایش دوره ای روغن

 تصفیه روغن ترانسفورماتور

 تصفیه فیزیکی روغن ترانسفورماتور

 تصفیه فیزیکی – شیمیایی روغن ترانسفورماتور

 شرایط نمونه برداری روغن ترانسفورماتور

 مقدمه

 ایجاد گاز در ترانسفورماتور

 ایجاد قوس الکتریکی با انرژی زیاد در داخل روغن

 ایجاد قوس الکتریکی با انرژی کم در داخل روغن

 گرمای بیش از حد در محلهای به خصوص

 تخلیه کرونا در داخل روغن ترانسفورماتور

 تجزیه عایق ترانسفورماتور در اثر گرما

 حلالیت گازها در روغن ترانسفورماتور

 مقادیر مورد نیاز برای آنالیز گازها

 مراحل آزمایش روش گاز کروماتوگرافی جهت مشخص کردن نوع خطا

 حلالیت گازها در روغن ترانسفورماتور

 خرابی عایق سلولزی ترانسفورماتور (کاغذ ترانسفورماتور)

 امتحان غلظت   و   حل شده در روغن

 امتحان غلظت Co و Co در گازهای آزاد بدست آمده از رله های جمع آوری گاز

 کاربرد روش تحلیلی در گازهای آزاد درون رله های جمع آوری گاز

 محاسبه غلظتهای گاز حل شده معادل در روغن ترانسفورماتور با غلظتهای گاز آزاد

 روش تشخیص خطا با استفاده ازگازهای حل شده و حل نشده در روغن ترانسفورماتور

 تعیین نرخ رشد گازها

 ارائه فلوچارت تصمیم گیری

 تعیین زمانهای آزمایش گاز کروماتوگرافی روغن

 تشخیص نوع خطا با استفاده از گازهای متصاعد شده

 تشخیص نوع خطا با استفاده از نسبت گازهای متصاعد شده

فصل پنجم

روشهای شناسایی محل خطا در ترانسفورماتور

 روشهای غیر الکتریک تعیین خطا

 طبیعت صوت

 انواع سیستمهای آکوستیکی

 روشهای الکتریکی تعیین محل خطا

 مانیتورینگ وضعیت ترانسفورماتور در حال کار با استفاده از روش آزمون ضربه ولتاژ پایین LVI

 عیب یابی ترانسفورماتور‏های قدرت با استفاده از روش تابع انتقال

  عیب یابی در محل

 روش آشکار سازی بر اساس تخلیه جزئی

سیستم GULSKI AND KREUGER

آنالیز با استفاده از روش مونت کارلو یا سیستم HIKITA

 خطاهای بوجود آمده در ترانسفورماتورهای  کیلوولت برق فارس

مقدمه : آشنایی با صنعت برق در استان فارس تا سال

 آمار حوادث منجر به ایجاد خطا و یا خروج ترانسفورماتور از شبکه

  ضمیمه